LNTR4003NLT1G-VB：SOT23封装高效能N-Channel MOSFET

"LNTR4003NLT1G-VB是一款由VB Semiconductor制造的SOT23封装的N-Channel场效应MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。该器件具有低阻抗、高效能的特点，且符合RoHS指令。" 这款N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）采用先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上形成深沟槽结构，降低了导通电阻，从而提高了效率和功率密度。其主要特性包括： 1. **额定电压**：VDS（漏源电压）为30V，这意味着在正常工作条件下，MOSFET可承受的最大电压差是30V。 2. **低导通电阻**：RDS(on)在VGS（栅极-源极电压）为10V时为30mΩ，而在VGS为4.5V时为33mΩ。这表明在开启状态下，流过电流时的内部电阻非常小，有助于降低功耗。 3. **最大持续电流**：ID在结温TJ=150°C时的最大值为6.5A，而在不同温度下，如TJ=25°C或70°C时，这个值会有所下降。 4. **栅极电荷**：Qg典型值为4.5nC，表示完全开启或关闭MOSFET所需的电荷量，影响开关速度。 5. **安全操作区域**：MOSFET在130°C/W的热阻条件下仍能稳定工作，确保了器件的热稳定性。 6. **应用领域**：适合用于DC/DC转换器，这通常涉及到电源管理、电池供电设备或任何需要电压转换的电路。 7. **环境友好**：根据IEC61249-2-21定义，该产品不含卤素，符合RoHS（有害物质限制）指令，体现了环保设计。 8. **封装形式**：采用小型SOT23封装，占用空间小，便于表面贴装在1"x1"的FR4电路板上。 9. **脉冲电流**：IDM的最大脉冲电流为25A，适用于短时间高电流脉冲的应用。 10. **温度范围**：操作和存储的结温范围为-55°C到150°C，确保了宽泛的工作环境适应性。 LNTR4003NLT1G-VB是一款高效、紧凑、环保的N-Channel MOSFET，适用于需要低损耗和高速开关性能的电路设计，如电源转换、负载开关或其他需要精确电流控制的场合。