FDP26N40 MOSFET技术规格与应用

"FDP26N40 数据手册提供了关于FDP26N40 N-Channel UniFET Trench MOSFET的详细技术规格和应用信息。这款MOSFET器件具有低导通电阻、低门极电荷和低栅极反向电容的特点，适用于不间断电源和AC-DC电源供应等应用。" FDP26N40是一款由Fairchild Semiconductor Corporation制造的N沟道Unifet Trench MOSFET，设计用于高压应用。该器件采用平面条纹和DMOS技术，特别优化了导通电阻，提升了开关性能和雪崩能量强度。这些特性使得FDP26N40适合用于电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器电视电源、ATX电源以及电子灯球泡镇流器。 在电气特性方面，FDP26N40的最大额定值在25°C环境温度下为： - VDSS：源漏电压为400V，表示器件可以承受的最大电压差。 - VGS：栅源电压为±30V，定义了栅极相对于源极的最大电压。 - ID：连续漏电流在25°C时为26A，而在100°C时降为15.6A，这表明器件在不同温度下的持续电流承载能力。 - IDM：脉冲漏电流，未提供具体数值，通常用于描述器件在短时间内能承受的峰值电流。 此外，该器件还具有以下关键性能指标： - RDS(on)：导通电阻典型值为130mΩ，在VGS=10V且ID=13A条件下，这是衡量MOSFET在开启状态下电阻的关键参数，低的RDS(on)意味着更低的功耗和更高的效率。 - Qg：门极电荷，典型值为48nC，它影响开关速度，低门极电荷意味着更快的开关性能。 - Crss：栅极反向电容，典型值为30pF，它影响开关瞬态响应和稳定性。 该器件通过了100%的雪崩测试，确保了其在过压条件下的可靠性。RoHS兼容性表明，FDP26N40符合欧盟对有害物质使用的限制标准。 在实际应用中，FDP26N40可用于需要高效、高可靠性的电源解决方案的领域，例如不间断电源系统，能够提供稳定的电力供应，即使在电网波动时也能保持设备正常运行。在AC-DC电源供应中，它能有效地转换交流电至直流电，满足各种电子设备的需求。此外，由于其良好的开关特性和高耐压能力，FDP26N40在大功率电子设备和照明系统中也有广泛的应用。