英飞凌IPD85P04P407ATMA1 OptiMOS-P2 功率晶体管技术规格

"IPD85P04P407ATMA1 是一款由INFINEON（英飞凌）生产的电子元器件芯片，属于OptiMOS®-P2系列的功率晶体管。该芯片主要特点包括P沟道正常水平增强模式、符合AEC汽车电子委员会标准、具有MSL1等级的高温峰值回流耐受能力、175°C的工作温度、绿色包装（符合RoHS标准），并且经过了100%的雪崩测试。" IPD85P04P4-07的主要规格和特性如下： 1. 工作温度范围广泛：芯片可在-55°C到+175°C的温度范围内正常工作，适应性强，适合在各种环境下使用。 2. 耐高压与大电流：持续漏极电流ID在25°C时最大可达到-85A，在100°C时仍可达到-61A，脉冲漏极电流ID,pulse在25°C时可达-340A，确保芯片能处理较大的电流负载。 3. 高雪崩能量：单脉冲雪崩能量EAS在ID=-42.5A时为30mJ，单脉冲雪崩电流IAS最高达-85A，这意味着芯片具有很好的过载保护能力。 4. 低栅源电压与功耗：最大栅源电压VGS允许在±20V的范围内工作，而低导通电阻RDS(on)仅为7.3mΩ，有助于降低功耗和提高效率。 5. 热性能优良：芯片的结壳热阻RthJC为1.7K/W，表明其在散热方面表现出色。虽然没有提供具体的结-空气热阻RthJA，但说明它在最小封装条件下也有良好的热管理能力。 6. 封装与标识：产品采用PG-TO252-3-313封装，标记为IPD85P04P4-07，4P0407是它的型号标识。 7. 可靠性认证：此芯片符合AEC-Q101汽车级质量标准，保证了在汽车应用中的可靠性和耐用性。 IPD85P04P4-07是一款高性能的P通道功率MOSFET，适用于需要高效、高耐压、大电流处理能力以及良好热管理和可靠性的汽车及工业应用中。例如，它可以用于电源管理、电机驱动、电池接口、DC-DC转换器等场合。