UT8205AG-AG6-R-VB：双N沟道SOT23-6 MOSFET技术规格

"UT8205AG-AG6-R-VB是一种双N沟道SOT23-6封装的MOS场效应晶体管，由UTCON或者类似的半导体制造商生产。这款器件提供了无卤素选项，并采用了TrenchFET技术，提高了功率效率和热性能。" UT8205AG-AG6-R-VB是一款高性能的双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点包括： 1. **无卤素选项**：这种MOSFET提供了一种不含卤素的版本，符合环保要求，对于那些需要符合RoHS（有害物质限制）标准的电子产品设计是理想选择。 2. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET结构，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上挖掘微型沟槽来构建MOSFET的导电通道。这有助于减小器件尺寸，降低导通电阻(RDS(on))，并提高开关速度和能效。 3. **封装形式**：SOT23-6封装是小型表面安装器件，适用于空间有限的电路设计，它有六个引脚，便于在电路板上安装和操作。 4. **关键参数**： - **额定电压**：漏源电压(VDS)最大为20V，确保了在正常工作条件下的稳定性。 - **导通电阻**：在4.5V的栅极-源极电压(VGS)下，每通道的RDS(on)为0.024Ω；在2.5V的VGS下，RDS(on)为0.028Ω，表明其在低电压下仍具有良好的导通性能。 - **电流能力**：在25°C时，连续漏极电流(ID)可达6.0A，而随着温度升高，电流会有所下降。 - **脉冲电流**：IDM的最大值为30A，用于短暂的高电流脉冲应用。 - **源极电流**：当作为二极管导通时，连续源极电流(IS)最大为1.5A。 5. **功率耗散与温度**：最大结温(TJ)可达到150°C，但不同温度下的最大功率耗散(PD)有所不同，25°C时为1.5W，70°C时为0.96W。 6. **热特性**：静态时的最大结壳热阻(RthJF)为55至70°C/W，动态时的最大结-空气热阻(RthJA)为72至83°C/W，这些参数影响了器件在高功率工作时的散热能力。 7. **封装标识**：封装上标记有G1、S1、G2、D以及两个源极S2和两个漏极D1/D2，对应于TSOP6封装的引脚布局。 8. **RoHS合规性**：尽管Pb（铅）含有的终端不完全符合RoHS，但在某些情况下可能有豁免，这意味着产品可以按照特定的法规在特定条件下使用。 UT8205AG-AG6-R-VB适用于需要高效能、小型化和环保的电子设备，例如电源管理、开关稳压器、马达驱动、电池管理系统等应用中，其紧凑的封装和优良的电气特性使其成为高密度电路设计的优选元器件。在使用这款MOSFET时，设计者需考虑其热管理，确保在实际工作条件下器件的寿命和可靠性。