SK海力士128Gb NAND闪存规格 datasheet

"SK Hynix的H27Q1T8YEB9R等NAND闪存芯片的数据手册，详细介绍了基于128Gb技术的128Gb、256Gb、512Gb、1Tb和2Tb NAND闪存规格，包括历史修订记录。" 该数据手册是SK Hynix公司关于其NAND闪存产品的技术规格文档，特别关注的是128Gb为基础的芯片，涵盖了从128Gb到2Tb的不同存储容量。这份文档的重要性在于它提供了工程师和设计人员在使用这些芯片时所需的关键信息。 首先，手册的修订历史显示了文档的发展过程，从2013年8月的草稿版本（0.1）到2014年3月的0.93版本，每次修订都对错误进行了修正，增加了新的产品信息或更新了操作细节。例如，0.2版本修正了TSOP引脚分配，0.5版本加入了H27QDG8D2B8R产品，而0.91版本则调整了参数设置/获取的语法并删除了一些不必要的时序参数。 NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛用于固态硬盘（SSD）、移动设备和嵌入式系统中。手册中详细列出了产品的电气特性、封装类型、引脚定义、读写操作、错误校正能力以及编程和擦除的时序。例如，Read ID Operation的修正可能涉及到识别不同芯片的正确方法，这对于系统集成至关重要。 此外，手册还包含了关于多层单元（MLC）产品线的信息，MLC技术允许每个存储单元保存多个位，从而提高存储密度但可能牺牲一些性能和耐用性。每种封装类型的读取ID的确定，使得用户能够根据特定的封装类型正确识别芯片。 在表5-16等表格中，通常会列出各种操作的时序和性能指标，如最大编程速度、读取速度和擦除速度，这些对于优化系统性能和设计时序控制至关重要。同时，图4.5和4.12的变化可能涉及到芯片的内部工作原理或操作模式的更新。 最后，数据手册通常还会包含错误检测和纠正机制的描述，如ECC（Error Correction Code）算法，这些对于确保数据的可靠性至关重要。虽然数据手册中没有具体提到“Intelligent Copyback Operation”的删除，但这种操作通常涉及在不破坏数据的情况下将存储块内的数据移动，可能是为了简化设计或改进效率。 这份SK Hynix的数据手册是设计、开发和维护使用NAND闪存系统的专业人士的重要参考资料，提供了详尽的技术细节和操作指南。