ST IGBT GGF19NC60KD：高性能20A/600V短路耐受IGBT

"ST IGBT GF19NC60KD 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的20A/10A IGBT（绝缘栅双极晶体管），设计用于高频逆变器和电机驱动等应用。这款IGBT具有低导通电压降（VCE(sat)）、低容性电流上升/下降比（Cres/Cies ratio）以及10微秒的短路耐受时间。此外，它还与超快速自由轮整流二极管一起封装，以提高整体系统的性能和效率。STGB19NC60KD、STGF19NC60KD 和 STGP19NC60KD 分别采用D2PAK、TO-220FP和TO-220封装，提供Tape and reel或Tube包装。" STGF19NC60KD是一款基于先进PowerMESH工艺的IGBT，该工艺实现了优异的开关性能与低导通状态行为之间的平衡。其内部电路图显示了IGBT的结构，包括三个引脚，分别为门极（Gate）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。表1列出了不同型号的订购代码、标记、封装及包装方式。 此器件的主要特点包括： 1. 低导通电压降：这意味着在IGBT导通时，其两端的电压降低，从而减少功耗并提高效率。 2. 低Cres/Cies比率：这降低了交叉导通的敏感性，确保在开关过程中更稳定的工作。 3. 短路耐受时间：10微秒的短路承受能力增强了器件对故障条件的抵抗力。 4. IGBT与超快整流二极管的共封装：这种设计有助于在反向恢复期间提供快速且无损的电流路径，减少损耗。 应用领域广泛，主要应用于高频逆变器和电机驱动，这些领域通常需要高效、快速响应的功率开关元件。 电气特性方面，文档中包含了电气参数、曲线和测试电路等详细信息，帮助用户了解其工作特性。封装机械数据和包装机械数据提供了物理尺寸和安装指南，确保正确安装和使用。 修订历史部分则记录了文档的更新和改进，对于跟踪产品的发展和改进至关重要。用户可以通过访问www.st.com获取最新的产品信息和技术支持。