英飞凌INFINEON IRFI4212H-117P数字音频MOSFET半桥芯片规格书

IRFI4212H-117P 英飞凌芯片规格书手册 IRFI4212H-117P 是一款集成半桥包的 Digital Audio MOSFET，专门为 Class-D 音频放大器应用而设计。该芯片具有低 RDS(ON) 和低 Qg、Qsw、Qrr 等特性，能够提供高效率和低总谐波失真（THD）的音频放大器解决方案。 一、特性 1. 集成半桥包：IRFI4212H-117P 采用集成半桥包设计，能够减少元件数目，简化 PCB 布局，提高音频放大器的可靠性和稳定性。 2. 低 RDS(ON)：该芯片具有低 RDS(ON)，能够提高音频放大器的效率，减少功率损失，提高音频信号的质量。 3. 低 Qg 和 Qsw：IRFI4212H-117P 的 Gate charge 和 Switching Loss 都很小，能够降低音频放大器的能耗，提高音频信号的质量。 4. 低 Qrr：该芯片的反向恢复电荷很小，能够减少音频放大器的 electromagnetic interference（EMI），提高音频信号的质量。 5. 高输出功率：IRFI4212H-117P 能够提供高达 150W 的输出功率，能够满足高品质音频应用的需求。 6. 无铅包装：该芯片采用无铅包装，符合环保要求，减少环境污染。 二、应用场景 IRFI4212H-117P 主要应用于 Class-D 音频放大器领域，能够满足高品质音频应用的需求，如专业音频设备、家电产品、汽车音频系统等。 三、参数特性 1. VDS：Drain-to-Source Voltage，最大值为 100V。 2. RDS(ON)：Static Drain-to-Source On-Resistance，典型值为 12 mohm。 3. Qg：Gate Charge，典型值为 12 nC。 4. Qsw：Switching Loss，典型值为 0.5 mJ。 5. Qrr：Reverse Recovery Charge，典型值为 2 nC。 四、结论 IRFI4212H-117P 是一款高性能的 Digital Audio MOSFET，能够满足 Class-D 音频放大器应用的需求，具有低 RDS(ON)、低 Qg 和 Qsw、低 Qrr 等特性，能够提供高效率和低总谐波失真的音频放大器解决方案。