CED12N10L-VB N沟道TO251封装MOS管产品概述

CED12N10L-VB N沟道TO251封装MOS管 CED12N10L-VB是一种N沟道TO251封装MOS管，具有175°C的结温，100%的Rg测试，适用于Primary Side Switch等应用场景。 **特点** * N-Channel 100V（D-S）MOSFET * 175°C的结温 * 100%的Rg测试 * 适用于Primary Side Switch等应用场景 **应用场景** * Primary Side Switch * 高频开关电源 * DC-DC Converter * 电机驱动器 * 电源管理系统 **参数** * 结温：175°C * 漏电流：100V * 导通电阻：RDS(on) = 0.115Ω（VGS = 10V） * 连续漏电流：ID = 15A * 脉冲漏电流：IDM = 45A * 源极电流：IS = 15A * 峰值电流：IAR = 15A * 峰值能量：EAR = 11.3mJ **热阻** * 结-环境热阻：RthJA = 16°C/W（t ≤ 10s） * 结--case热阻：RthJC = 2°C/W **封装** * TO-251封装 * DT-Trench Power MOSFET结构 **应用注意事项** * 在使用CED12N10L-VB MOSFET时，需要注意结温的限制，确保结温不超过175°C。 * 在设计电路时，需要考虑到MOSFET的热阻和散热问题。 * 需要根据实际应用场景选择合适的MOSFET，确保MOSFET的参数满足应用要求。 **技术支持** * VBsemi提供技术支持和应用指南，帮助客户快速设计和实现基于CED12N10L-VB MOSFET的应用系统。 * VBsemi的技术支持团队提供7x24小时的技术支持，帮助客户解决设计和应用问题。 **服务热线** * 400-655-87