Micron MT36LD3272FG-5 DDR3中文数据手册:高速内存规格与特性
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更新于2024-06-28
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DDR3中文数据手册 Micron-MT36LD3272FG-5提供了关于Micron Technology公司生产的8, 16, 和32MB(每组72位)的双线内存模块(DIMM)的详细规格和技术特性。该产品符合JEDEC标准,拥有168引脚设计,支持ECC(错误校验码)功能,确保数据的准确性。
主要特点包括:
1. **内存容量**:三种配置可选,分别为64MB(8 Meg x 72),128MB(16 Meg x 72),以及256MB(32 Meg x 72),适用于不同性能需求的应用场景。
2. **技术基础**:采用高性能的CMOS硅门工艺制造,提供单个+3.3V±0.3V电源供应,兼容LVTTL接口,提高信号传输的稳定性和效率。
3. **刷新机制**:采用4,096个周期的CAS#(列地址)在RAS#(行地址)之前刷新(4K CBR),确保数据的持久性和一致性,刷新过程分布于64ms内。
4. **访问模式**:支持扩展数据输出(EDO)页面模式,允许高效的数据读写操作。
**产品选项**:
- **封装类型**:SOJ、D、TSOP和DT封装,以及168-pin DIMM(金接触)和低功耗选项。
- **刷新地址范围**:有两种刷新行数选择,4,096行(4K)和8,192行(8K),根据应用需求选择。
- **模块高度**:低功耗版本有1.65英寸(256MB型号)和1.25英寸(128MB型号)两种规格,适合不同的空间限制。
**时序参数**:
- **访问时间**:最低50ns,最高60ns,适应不同的速度要求。
- **访问类型**:数据存储采用DRAM模式,明确各个引脚的功能,如DQ0-DQ37代表数据引脚,RAS2#和RAS3#用于控制行地址等。
这些信息对设计工程师或系统集成者来说至关重要,可以用来评估此DDR3内存模块是否符合项目需求,以及如何正确地将其集成到系统架构中以实现最佳性能和稳定性。同时,了解制造商保留更改产品规格的权利,意味着用户需要保持更新的文档以获取最新的技术支持。
2023-07-20 上传
2023-07-27 上传
2023-06-06 上传
2023-07-20 上传
2023-06-06 上传
2023-06-07 上传
不觉明了
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