Micron MT36LD3272FG-5 DDR3中文数据手册：高速内存规格与特性

DDR3中文数据手册 Micron-MT36LD3272FG-5提供了关于Micron Technology公司生产的8, 16, 和32MB（每组72位）的双线内存模块（DIMM）的详细规格和技术特性。该产品符合JEDEC标准，拥有168引脚设计，支持ECC（错误校验码）功能，确保数据的准确性。 主要特点包括： 1. **内存容量**：三种配置可选，分别为64MB（8 Meg x 72），128MB（16 Meg x 72），以及256MB（32 Meg x 72），适用于不同性能需求的应用场景。 2. **技术基础**：采用高性能的CMOS硅门工艺制造，提供单个+3.3V±0.3V电源供应，兼容LVTTL接口，提高信号传输的稳定性和效率。 3. **刷新机制**：采用4,096个周期的CAS#（列地址）在RAS#（行地址）之前刷新（4K CBR），确保数据的持久性和一致性，刷新过程分布于64ms内。 4. **访问模式**：支持扩展数据输出（EDO）页面模式，允许高效的数据读写操作。 **产品选项**： - **封装类型**：SOJ、D、TSOP和DT封装，以及168-pin DIMM（金接触）和低功耗选项。 - **刷新地址范围**：有两种刷新行数选择，4,096行（4K）和8,192行（8K），根据应用需求选择。 - **模块高度**：低功耗版本有1.65英寸（256MB型号）和1.25英寸（128MB型号）两种规格，适合不同的空间限制。 **时序参数**： - **访问时间**：最低50ns，最高60ns，适应不同的速度要求。 - **访问类型**：数据存储采用DRAM模式，明确各个引脚的功能，如DQ0-DQ37代表数据引脚，RAS2#和RAS3#用于控制行地址等。 这些信息对设计工程师或系统集成者来说至关重要，可以用来评估此DDR3内存模块是否符合项目需求，以及如何正确地将其集成到系统架构中以实现最佳性能和稳定性。同时，了解制造商保留更改产品规格的权利，意味着用户需要保持更新的文档以获取最新的技术支持。