NTD5867NLT4G MOSFET参数详解：低阻高性能TO-252封装

"NTD5867NLT4G-VB是一款由VBsemi生产的N沟道TrenchFET PowerMOSFET，采用TO-252封装，适用于需要高效能和高温工作的应用。该MOSFET具有低导通电阻（RDS(ON)）特性，分别为58毫欧姆@10伏特和70毫欧姆@4.5伏特，以及宽泛的工作电压和电流能力。" NTD5867NLT4G MOSFET的关键特性包括： 1. TrenchFET技术：这是一种先进的制造工艺，通过在MOSFET的硅片上挖掘细小的沟槽，提高了器件的开关性能和降低导通电阻，从而实现更高的效率和更低的功率损失。 2. 高结温：这款MOSFET能够承受高达175°C的结温，这使得它适合在高温环境下工作，如汽车电子、工业控制和电源管理等应用。 3. 电气参数： - 最大栅极-源极电压（VGS）：±20V，确保了在设计中安全的操作范围。 - 连续漏极电流（ID）：在25°C时，最大连续漏极电流为6.5A，而在175°C时，仍可维持一定电流，显示了良好的热稳定性。 - 脉冲漏极电流（IDM）：短时间可承受的最大脉冲电流为100A，用于瞬时大电流需求。 - 持续源极电流（IS）：在二极管导通状态下，源极电流最大为23A。 - 崩溃电流（IAS）：最大为20A，允许在规定的单脉冲下进行雪崩操作。 4. 温度与热性能： - 最大结到外壳热阻（RthJC）：3.2至4°C/W，表明了器件从内部到外部壳体的热传递效率。 - 最大结到环境热阻（RthJA）：18至22°C/W，表示在10秒内从内部结温到周围空气的散热能力。 5. 安全运行：最大功率耗散（PD）为100W，确保在指定温度下稳定工作。 - 工作和存储温度范围：-55°C至175°C，适应广泛的环境条件。 NTD5867NLT4G MOSFET是一款高性能、高耐温的N沟道MOSFET，适用于需要低导通电阻和高可靠性的应用。VBsemi提供该产品，并提供热线支持400-655-8788，确保用户能得到及时的技术咨询和服务。