DMN2004K-7-VB: 一款环保型N沟道SOT23封装20V MOSFET

DMN2004K-7-VB是一款采用N沟道SOT23封装的高性能MOSFET，它属于Trench FET®系列，特别设计用于在低功耗和紧凑型应用中提供高效能。该MOSFET具有以下关键特性： 1. **环保友好**：根据IEC 61249-2-21标准，这款MOSFET不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC的要求，对环境友好。 2. **性能参数**： - 驱动电压范围广：支持VDS (Drain-Source Voltage)高达20V，确保在高电压条件下稳定工作。 - 低阻态电阻：RDS(on)在不同工作条件下表现出色，如典型值下，当VGS（Gate-Source Voltage）为4.5V时，RDS(on)为0.028Ω。 - 高电流能力：连续 Drain Current (ID)在25°C下可达6A，且有脉冲电流限制（IDM）为20A。 - 优秀的电导率：在不同的GS电压下，如2.5V和1.8V，ID表现出较小的饱和电导变化。 3. **热管理**：内置的安全措施确保了在不同温度下的热管理，例如在5s内允许的最大瞬态功率为5.6°C/W，而最大持续功率在不同温度下也有严格限制，如25°C时为2.1W。 4. **温度兼容性**：该MOSFET适用于宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，包括操作结温(TJ)和存储温度(Tstg)。 5. **封装与应用**： - SOT-23封装，占用空间小，适合于小型化设计。 - 应用广泛，如直流/直流转换器和便携式设备的负载开关。 6. **注意事项**： - 封装限制了某些性能，例如表面安装时需在1"x1"FR4板上。 - 部分数据基于25°C测试条件，实际性能可能因工作温度和负载条件有所不同。 DMN2004K-7-VB是一款针对特定应用需求的高性能N沟道SOT23封装MOSFET，具有良好的低功耗、高效率和宽温范围等特点，是现代电子设计中常见的高效组件之一。