GV3407-VB:SOT23封装高效能P-Channel MOSFET
"GV3407-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOS管,适用于移动计算设备如负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等应用。其主要特点包括TrenchFET PowerMOSFET技术,并经过100%Rg测试。在25°C环境下,该器件的最大RDS(ON)为47毫欧,分别在VGS=-10V、-6V、-4.5V时,连续漏极电流ID分别为-5.6A、-5A和-4.5A。此外,该MOSFET具有-30V的源漏电压(VDS),以及±20V的栅源电压(VGS)限制。在不同温度条件下,ID的额定值会有所变化。在脉冲状态下,最大漏极电流IDM可达-18A,而连续源漏二极管电流IS为-2.1A。最大功率耗散在25°C和70°C时分别为2.5W和1.6W。热阻方面,结到外壳的热阻典型值与最大值分别为2.5°C/W和1.25°C/W(25°C)和0.8°C/W(70°C)。工作和储存温度范围为-55°C至150°C。" GV3407-VB是一款由VB Semi生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小型化的SOT23封装,适合在空间有限且需要高效能的电子设备中使用。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽,降低了电阻,从而提高了器件的开关速度和效率。100%的Rg测试确保了每个器件的可靠性和一致性。 在电气特性方面,GV3407-VB的源漏电压VDS的最大值为-30V,这意味着它可以承受的最大反向电压是30伏。同时,MOSFET的栅源电压VGS的范围在-20V内,这保证了器件的正常工作和防止过电压损坏。在VGS=-10V时,典型的RDS(ON)仅为47毫欧,这意味着在导通状态下,流经MOSFET的电流造成的压降很小,有利于降低电路的功耗。 此外,GV3407-VB的最大连续漏极电流ID在不同温度下有所不同,例如在25°C时为-5.6A,而在70°C时则降至-4.3A。这意味着随着环境温度的升高,器件的额定电流会有所下降。脉冲漏极电流IDM的最大值为-18A,这使得它适合用于短时间大电流的脉冲应用。 在热性能方面,该器件的最大功率耗散(PD)在25°C时为2.5W,而在70°C时为1.6W,这需要在设计时考虑到散热解决方案。结到外壳的热阻(θJC)在25°C时为2.5°C/W,表示每增加1W的功率,器件的结温将上升2.5°C,而在70°C时,这个值下降到0.8°C/W。因此,确保良好的散热是维持器件稳定工作的重要因素。 GV3407-VB是一款高效、紧凑的P沟道MOSFET,适用于需要低RDS(ON)、高开关速度和小尺寸封装的应用,特别是在移动计算设备中,如电源管理、开关和转换器等场合。
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