三星K7A403200M：128Kx32位同步SRAM数据手册

"SAMSUNG-K7A403200M.pdf 是一份关于三星（SAMSUNG）K7A403200M型号的128Kx32位同步流水线突发静态随机存取存储器（SRAM）的数据手册。这份文档在1999年2月修订至第五版，详细介绍了该SRAM芯片的规格和技术特性。" 本文将深入探讨三星K7A403200M SRAM芯片的关键知识点： 1. **产品概述**： K7A403200M是一款具有128Kx32位配置的同步SRAM，总计存储容量为4,194,304位，设计用于高性能应用，如处理器缓存、高速数据处理和其他对速度有严格要求的系统。 2. **同步SRAM**： 同步SRAM工作时钟与系统总线时钟同步，这意味着它的读写操作是基于时钟边沿触发的，提供更快的数据传输速率和更稳定的性能。相较于异步SRAM，同步SRAM更适合高速、低延迟的环境。 3. **流水线和突发模式**： 流水线技术允许数据连续快速地通过存储阵列，提高读取效率。突发模式则意味着在一次时钟周期内可以连续读取或写入多个数据，进一步提升了数据传输速率。 4. **电源电压**： 该芯片支持VDDQ电源电压为2.5V，这通常是SRAM的数据线电源电压，确保高速数据传输的同时保持较低的功耗。 5. **包封形式**： 文件提到移除了119BGA（7x17球栅阵列封装），这可能表示产品更新后采用了不同的封装形式，以适应不同应用场景的需求或优化制造工艺。 6. **版本历史**： 数据手册经过多次修订，反映了产品设计和规格的演变。例如，从Rev.1.0到Rev.2.0，将CYC（时钟周期）从8.5ns改为10.0ns，表明时序参数进行了调整；Rev.3.0修改了输入漏电流测试条件；Rev.4.0增加了VDDQ电源电压等。 7. **技术参数**： 随着文档的修订，用户可以获取关于直流特性（如输入泄漏电流）、时序参数、操作条件等详细信息，这些都是评估SRAM性能的关键指标。 8. **支持和服务**： SAMSUNGElectronics承诺对产品规格进行评估，并对用户的疑问作出回应，强调了其客户支持和售后服务。 三星K7A403200M是一款专为高性能应用设计的128Kx32位同步SRAM，具备先进的流水线和突发功能，以及不断优化的电气和物理特性，以满足不断发展的电子系统需求。