英飞凌IRF60R217 MOSFET：高耐压、高效率电机驱动与电源应用解决方案

IRF60R217是INFINEON公司推出的一款高性能、增强型绝缘栅双极型晶体管（IGBT），也被称为强IRFET。这款芯片特别适用于各种电机驱动应用，包括直流伺服电机（Brushed Motor Drive）、永磁同步电机（BLDC Motor Drive）驱动、电池供电电路，以及半桥和全桥拓扑结构。它还适用于同步整流器、谐振模式电源供应、OR-ing和冗余电源开关，以及直流/直流(DC-DC)和交流/直流(AC-DC)转换器，甚至是DC/AC逆变器。 IRF60R217的主要优势在于其改进了门极、雪崩和动态dv/dt抗扰性，这意味着它在高电压和大电流操作下具有更好的稳定性。此外，芯片的电容性和雪崩过载区域(SOA)进行了全面的特性化，提供了更精确的设计指导。它还强化了体二极管的dv/dt和di/dt能力，提高了电路的响应速度和效率。该器件采用无铅环保材料制造，并符合RoHS标准，对环境友好。 规格方面，IRF60R217的集电极-源极击穿电压(VDSS)为60V，典型集电极-源极导通电阻(RDS(on))在室温下为8.0毫欧姆，最大值可达9.9毫欧姆。其最大允许连续电流ID范围广泛，从58A到175A，可适应不同功率需求。图表1展示了在不同门极电压下的典型通态电阻，而图表2则展示了在不同温度下最大漏极电流随时间的变化情况。 封装形式为D-Pak，标准包装的订单号可供选择，适用于大批量生产。截至12016年1月5日，每卷可以提供2000个IRF60R217器件。设计者在使用时可以根据图示数据选择合适的电流和电压工作点，确保在指定的结温(TJ)如25°C下保持安全操作。 总结来说，IRF60R217是一款针对工业应用设计的高性能IGBT，其在电气性能、可靠性及环保性方面的出色表现使其成为电机驱动和电源转换系统中的理想选择。在选择和设计电路时，充分了解并考虑其规格参数，以充分利用其优势，提升系统的整体效能。