英飞凌IPD12CN10N G芯片中文规格书：高性能N沟道MOSFET

"IPD12CN10N G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文将详细解读英飞凌科技公司生产的IPD12CN10N G芯片的关键特性和技术参数，这是一款OptiMOS™2系列的N沟道功率晶体管，适用于高频率开关和同步整流应用。 特性： 1. **N沟道，正常电平**：这款芯片属于N沟道MOSFET，这意味着它在栅极与源极之间施加正电压时导通，断开时则为高阻态。 2. **优秀的门极电荷与RDS(on)乘积（FOM）**：这是衡量MOSFET开关性能的重要指标，较低的乘积意味着更快的开关速度和更低的功耗。 3. **极低的导通电阻RDS(on)**：RDS(on)仅为12.4 mΩ（TO252封装），在大电流下工作时能显著降低功耗。 4. **175°C的工作温度**：芯片可承受高达175°C的环境温度，确保了在高温环境下稳定运行。 5. **无铅焊料覆盖，符合RoHS标准**：环保无铅设计，符合欧盟关于限制有害物质的指令。 6. **根据JEDEC标准进行资格认证**：满足电子设备的可靠性要求。 7. **适用于高频率开关和同步整流**：在电源转换系统中，能高效地切换和整流，提高能效。 8. **符合IEC61249-2-21的卤素免费**：符合环保要求，不含卤素元素，减少对环境的影响。 技术参数（在Tj = 25°C，除非另有说明）： 1. **连续漏极电流ID**：25°C时为67A，100°C时为48A。 2. **脉冲漏极电流ID,pulse**：25°C时可达268A，具体取决于脉冲条件。 3. **雪崩能量EAS**：在ID=67A，RGS=25W时为154mJ，表明芯片能承受一定能量的雪崩击穿而不损坏。 4. **反向二极管电压变化率dv/dt**：在特定条件下最大可达6kV/µs，保证快速动态响应。 5. **栅源电压VGS**：额定值为±20V，确保宽范围的驱动能力。 6. **总功率耗散Ptot**：在25°C时最大为125W。 7. **操作和存储温度Tj,Tstg**：-55°C至175°C，适合各种环境条件。 8. **IEC气候类别**：55/175/56，对应于标准的温度和湿度测试条件。 9. **Tjmax = 150°C时，Vgs < -5V的占空比D=0.01**：确保在极限条件下芯片的长期稳定性。 总结： IPD12CN10N G是一款高性能的N沟道MOSFET，其低RDS(on)、高耐温性以及出色的开关性能使其成为电源管理、高效能电路和高频应用的理想选择。其符合多种行业标准和环保规定，确保了可靠性和生态可持续性。用户在设计电路时，可以根据这些参数来评估和确定该芯片是否适用于他们的特定需求。