SSM3J327R-VB：P沟道20V SOT23 MOSFET技术规格

SSM3J327R-VB是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT23封装，适用于需要高效能和紧凑尺寸的电子设备。这款MOSFET的主要特性包括其20V的额定 Drain-Source 电压（VDS），以及在不同栅极电压下的低导通电阻（RDS(on)）。 详细说明： SSM3J327R-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于在-20V的电压下工作，确保了电路的安全性和稳定性。其关键参数之一是RDS(on)，在不同的栅极源电压（VGS）下，RDS(on)分别为0.035欧姆（VGS=-10V）、0.043欧姆（VGS=-4.5V）和0.061欧姆（VGS=-2.5V）。低的RDS(on)意味着在导通状态下，该MOSFET的内部电阻小，可以有效降低导通损耗，提高电源转换效率。 该器件的封装形式为SOT23，这是一种小型表贴封装，适合于空间有限的电路板设计。此外，SSM3J327R-VB还具有快速开关能力，Qg（总栅极电荷）仅为10nC，这有助于减少开关过程中的能量损失。 在电流能力方面，SSM3J327R-VB在不同温度下的连续漏极电流（ID）有所不同，例如，在25°C时，ID的最大值为-4.5A，而在70°C时则下降到-3.5A。脉冲漏极电流（IDM）可达到-18A，而连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为-1.0A。最大功率耗散（PD）在25°C时为2.5W，随着温度升高，这个值会相应减少。 在热性能方面，SSM3J327R-VB的结壳热阻（RthJF）典型值为40°C/W，而结温至环境的热阻（RthJA）最高可达100°C/W。这意味着在短时间内，该器件能够有效散发热量，但长时间运行在高温环境下可能会受到限制。 最后，SSM3J327R-VB符合无卤素标准（根据IEC61249-2-21），这对于环保和RoHS合规性的应用非常重要。SSM3J327R-VB是一种适用于需要低功耗、高效能和小体积的电子设计的P沟道MOSFET。