双极型晶体管详解：结构、工作原理与应用

"该资源是一份关于双极型晶体管及其基本放大电路的讲义，内容涵盖双极型晶体管的结构、工作原理、伏安特性曲线、主要参数、电路模型以及三种连接方式。讲义还涉及了共集电极、共发射极、共基极放大电路以及组合单元放大电路的分析和应用。" 在电子技术中，双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）是一种核心元件，由两个PN结构成，分为NPN型和PNP型，由硅或锗材料制成。三极管具有三个区域：发射区、基区和集电区，其中发射区的掺杂浓度最高，基区最薄且掺杂浓度最低，集电区面积最大。发射区和基区之间的接触形成发射结，基区和集电区之间形成集电结。每个区域对应一个电极：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。 双极型晶体管的工作原理基于载流子（电子和空穴）在电场作用下的移动。发射区向基区发射电子，基区很薄，使得大部分电子能穿过基区到达集电区，形成集电极电流。同时，基区也有一些少数载流子（对于NPN型是空穴）向发射区移动，形成发射极电流。基极电流对集电极电流有控制作用，因此晶体管被视为电流控制型器件。 晶体管有三种基本的连接方式：共基极、共发射极和共集电极（也称为射极跟随器）。在共基极电路中，基极是公共端，信号从发射极输入，从集电极输出；共发射极电路中，发射极是公共端，输入信号加在基极，输出信号从集电极获取；而共集电极电路中，集电极是公共端，输入信号加在基极，输出信号从发射极取出。每种连接方式都有其特定的应用场景和放大特性，例如共集电极电路具有电压跟随特性，而共发射极电路常用于电压放大。 讲义还涵盖了放大电路的一些基本概念，如放大电路的性能指标、图解分析法、微变等效模型以及如何通过分压方式稳定静态工作点，这些都是理解晶体管放大作用和设计放大电路的基础。此外，共基极和共集电极放大电路以及组合单元放大电路的讨论，进一步丰富了读者对晶体管放大电路设计和应用的理解。