J461-VB SOT23 封装 P-Channel 场效应 MOS 管特性和参数

J461-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管 J461-VB是一款SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，由VBsemi公司生产。该器件具有高性能和低损耗特点，适用于高频开关电源、DC-DC变换器、电池充电器等应用场景。 **特点** 1. **高频开关**：J461-VB具有高频开关能力，switching速度快，典型值为20ns。 2. **低导通阻抗**：该器件的导通阻抗非常低，典型值为3Ω，能够降低电压损耗和热损耗。 3. **低阈值电压**：J461-VB的阈值电压非常低，典型值为-2V，能够降低电路中的电压损耗。 4. **高侧开关**：该器件适用于高侧开关应用，能够承担高电压和高电流。 5. **RoHS指令兼容**：J461-VB符合RoHS指令2002/95/EC，environmentally friendly。 **电气特性** 1. **漏源电压**：-60V 2. **栅源电压**：±20V 3. **导通阻抗**：3Ω（典型值） 4. **阈值电压**：-2V（典型值） 5. **开关速度**：20ns（典型值） 6. **输入电容**：20pF（典型值） **应用场景** 1. **高频开关电源**：J461-VB适用于高频开关电源，能够提供高效率和高可靠性的电源解决方案。 2. **DC-DC变换器**：该器件适用于DC-DC变换器，能够提供高效率和高可靠性的电源解决方案。 3. **电池充电器**：J461-VB适用于电池充电器，能够提供高效率和高可靠性的电池充电解决方案。 **温湿度特性** 1. **工作温度**：-55°C to 150°C 2. **存储温度**：-55°C to 150°C 3. **最大结温**：150°C **封装信息** 1. **封装类型**：SOT23 2. **引脚排列**：TO-236 3. **引脚数**：3 **其他信息** 1. **服务热线**：400-655-8788 2. **官网**：www.VBsemi.com