SOT23封装N-Channel场效应MOS管AFN3424S23RG-VB详细介绍

AFN3424S23RG-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管 本文主要介绍了AFN3424S23RG-VB这一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管的特点和参数。该MOS管具有高达30V的耐压能力，最大drain-source电流为6.5A，RDS(on)为30mΩ@VGS=10V。同时，该MOS管还具有TrenchFET®PowerMOSFET和100% Rg测试等特点。 在应用方面，该MOS管可以应用于DC/DC变换器等领域。同时，该MOS管还符合RoHS指令2002/95/EC和IEC61249-2-21的要求。 在参数方面，该MOS管具有以下特点： * 耐压能力高达30V * 最大drain-source电流为6.5A * RDS(on)为30mΩ@VGS=10V * TrenchFET®PowerMOSFET * 100% Rg测试 * 符合RoHS指令2002/95/EC和IEC61249-2-21的要求 在应用中，该MOS管可以应用于DC/DC变换器等领域，满足不同的应用需求。同时，该MOS管的高耐压能力和高drain-source电流能力也使其在高频率和高电流应用中具有广泛的应用前景。 此外，该MOS管还具有以下特点： * 高频率和高电流应用 * DC/DC变换器应用 * 符合RoHS指令2002/95/EC和IEC61249-2-21的要求 * TrenchFET®PowerMOSFET和100% Rg测试 AFN3424S23RG-VB是一款功能强大且可靠的N-Channel场效应MOS管，适合广泛的应用领域。