SOT23封装N-Channel场效应MOS管AFN3424S23RG-VB详细介绍
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更新于2024-08-03
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AFN3424S23RG-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
本文主要介绍了AFN3424S23RG-VB这一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管的特点和参数。该MOS管具有高达30V的耐压能力,最大drain-source电流为6.5A,RDS(on)为30mΩ@VGS=10V。同时,该MOS管还具有TrenchFET®PowerMOSFET和100% Rg测试等特点。
在应用方面,该MOS管可以应用于DC/DC变换器等领域。同时,该MOS管还符合RoHS指令2002/95/EC和IEC61249-2-21的要求。
在参数方面,该MOS管具有以下特点:
* 耐压能力高达30V
* 最大drain-source电流为6.5A
* RDS(on)为30mΩ@VGS=10V
* TrenchFET®PowerMOSFET
* 100% Rg测试
* 符合RoHS指令2002/95/EC和IEC61249-2-21的要求
在应用中,该MOS管可以应用于DC/DC变换器等领域,满足不同的应用需求。同时,该MOS管的高耐压能力和高drain-source电流能力也使其在高频率和高电流应用中具有广泛的应用前景。
此外,该MOS管还具有以下特点:
* 高频率和高电流应用
* DC/DC变换器应用
* 符合RoHS指令2002/95/EC和IEC61249-2-21的要求
* TrenchFET®PowerMOSFET和100% Rg测试
AFN3424S23RG-VB是一款功能强大且可靠的N-Channel场效应MOS管,适合广泛的应用领域。
2024-04-03 上传
2024-04-02 上传
2023-06-01 上传
2023-07-09 上传
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2023-05-11 上传
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