ESD模型与HBM/MM测试详解

本文主要介绍了ESD模型及相关的测试内容，包括HBM、MM、CDM、FIM等模型，并提到了TLP测试和拴锁测试等方法。 ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）是电子设备在生产、运输、使用过程中可能遇到的一种现象，它可能导致设备的损坏。为了确保电子产品的可靠性，ESD模型和测试方法至关重要。以下是详细的介绍： 1. ESD模型分类： - 人体放电模式（Human-Body Model, HBM）：模拟人体带静电接触电子设备的情况，通常使用100pF电容和1.5kΩ电阻的等效电路。 - 机器放电模式（Machine Model, MM）：模拟机械设备接触电子设备时的放电，等效电阻为0Ω，电容为200pF，放电速度更快。 - 组件充电模式（Charged-Device Model, CDM）：关注设备内部或外部充电后放电的情况。 - 电场感应模式（Field-Induced Model, FIM）：关注环境电场对设备的影响。 - 系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式：用于系统级产品的测试。 - TLP（Transient Lateral Bipolar Diode）模型：研究设计中常用，用于测量器件的瞬态特性。 2. HBM和MM测试方法标准： - HBM测试按照MIL-STD-883C method 3015.7进行，每个IC管脚对地进行测试，逐次增加电压，直至IC损坏。 - MM测试同样有EIA/JEDEC标准，模拟机器放电时的高电流短脉冲。 3. CDM模型和测试方法标准： - CDM测试考虑设备自身或与其他物体接触后放电，通常涉及器件内部电荷转移。 4. EIC（Electrostatic Induced Current）模型和测试方法： - EIC测试关注静电场对设备产生的感应电流影响。 5. TLP测试： - TLP测试测量器件在瞬态高压下的电流-电压特性，提供器件保护特性的深入理解。 6. 拴锁测试（Latch-up Test）： - 检查器件在受到静电放电时是否会触发寄生晶闸管效应，导致器件持续导通。 7. I-V测试（Current-Voltage Test）： - 在器件经历ESD事件后，通过测量电流-电压曲线来评估其性能变化。 这些测试标准和方法确保了电子设备在面对ESD事件时具备足够的防护能力，防止因静电放电导致的潜在失效。在产品开发和制造中，严格遵循这些标准进行测试，可以提高产品的质量和可靠性。