英飞凌BSS806N：优化小信号晶体管，AECQ101认证

英飞凌(BSS806N)是一款专为小型信号应用设计的OptiMOS™2系列N沟道增强模式晶体管。这款电子元器件芯片具有以下特点： 1. **技术特性**: - N型通道：适合于各种低电压和电流控制的应用。 - **工作模式**：增强模式（Enhancement mode），意味着当栅极电压为正时，漏极电流会增加。 - **极低阈值电压**：标称电压为1.8V，使得它在低电压条件下也能高效工作。 - **雪崩效应**：由于采用了 Avalanche 结构，可以处理高脉冲电流和能量吸收。 - **质量保证**：符合AECQ101标准，适用于汽车电子应用，100%无铅且RoHS合规，同时符合Halogen-free标准（IEC61249-2-21）。 2. **电气参数**: - 连续漏极电流（ID）: 在25°C时，最大为2.3A；在70°C下，降低到1.9A。 - 脉冲漏极电流（ID,pulse）: 在25°C下，允许的峰值为9.3A。 - 雪崩能量（EAS）: 在2.3A电流下，承受单次脉冲的能量为10.8mJ。 - 反向漏极电压上升率（dv/dt）: 在极限条件下，能承受6kV/μs的快速变化。 - 栅极源极电压（VGS）范围: ±8V，确保了宽广的栅极控制能力。 - 功耗（Ptot）: 在25°C下，最大功率为1W。 - 工作和存储温度范围: -55°C至150°C，适应各种环境条件。 3. **封装信息**: - 封装类型: SOT23，紧凑型封装，有利于节省电路板空间。 - 贴片信息: H6327型号，每卷包含3000个芯片。 - 标记: 提供明确的标识，便于生产和追溯。 - 非干燥包装: 适用于特定的焊接工艺和储存要求。 - 版本: Rev2.3，代表产品的最新状态，可能包含改进和更新。 4. **基本规格**: - 最大集电极电压（VDS）: 在不同条件下，最大值可达20V。 - 集电极漏源电阻（RDS(on)）: 当VGS=2.5V时，最大为57mΩ；在VGS=1.8V时，略高，约为82mΩ。 - 漏极电流（ID）典型值: 在额定条件下为2.3A。 BSS806N是一款高性能、低功耗且符合严格标准的N沟道增强模式晶体管，适用于需要低电压、高效率以及良好抗电磁干扰的电子设备，如电源管理、信号放大器等。通过其严格的工业级认证和封装设计，它为现代电子系统提供了可靠的基础组件。