BTS5200-1ENA 英飞凌芯片 INFINEON 单通道智能高侧电源开关规格书.pdf
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更新于2023-11-24
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BTS5200-1ENA 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册是一份详细的技术规格手册，包含了该芯片的基本特性和应用示意图。该芯片适用于抗性、感性和电容负载，并可替代电磁继电器、保险丝和离散电路。特别适合具有高浪涌电流的负载，如灯具。芯片采用单通道设计，具有非常低的待机电流，支持3.3 V和5 V逻辑输入，同时具有静电放电保护和优化的电磁兼容性。该手册的内容包括了芯片的应用示意图和基本特性，通过该规格书可以更深入地了解BTS5200-1ENA英飞凌芯片的功能和性能。
Data Sheet 8 Rev. 1.0
2018-05-14
PROFET™+ 12 V
BTS5200-1ENA
General Product Characteristics
4.2 Functional Range
Table 4 Functional Range T
J
= -40°C to 150°C; (unless otherwise specified)
Parameter Symbol Values Unit Note or
Test Condition
Number
Min. Typ. Max.
Nominal operating voltage V
NOM
8 13.5 18 V – P_4.2.1
Extended operating voltage V
S(OP)
5–28V
2)
V
IN
= 4.5 V
R
L
= 25 Ω
V
DS
< 0.5 V
P_4.2.2
Minimum functional supply
voltage
V
S(OP)_MIN
3.8 4.3 5 V
1)
V
IN
= 4.5 V
R
L
= 25 Ω
From I
OUT
= 0 A
to V
DS
< 0.5 V;
see Figure 15
P_4.2.3
Undervoltage shutdown V
S(UV)
3 3.5 4.1 V
1)
V
IN
= 4.5 V
V
DEN
= 0 V
R
L
= 25 Ω
From V
DS
< 1 V;
to I
OUT
= 0 A
See Chapter 9.1
and Figure 15
1) Test at T
J
= -40°C only
P_4.2.4
Undervoltage shutdown
hysteresis
V
S(UV)_HYS
– 850 – mV
2)
–
2) Not subject to production test. Specified by design.
P_4.2.13
Operating current channel
active
I
GND_1
–6 9 mAV
IN
= 5.5 V
V
DEN
= 5.5 V
Device in R
DS(ON)
V
S
= 18 V
See Chapter 9.1
P_4.2.5
Standby current for whole
device with load
I
S(OFF)
–0.10.5µA
1)
V
S
= 18 V
V
OUT
= 0 V
V
IN
floating
V
DEN
floating
T
J
≤ 85°C
P_4.2.7
Maximum standby current for
whole device with load
I
S(OFF)_150
––5 µAV
S
= 18 V
V
OUT
= 0 V
V
IN
floating
V
DEN
floating
T
J
= 150°C
P_4.2.10
Standby current for whole
device with load, diagnostic
active
I
S(OFF_DEN)
–0.6–mA
2)
V
S
= 18 V
V
OUT
= 0 V
V
IN
floating
V
DEN
= 5.5 V
P_4.2.8
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