CEM4953H-VB: 2个-30V P-Channel MOSFET的规格与应用

CEM4953H-VB是一款由VBSEMICONDUCTOR公司生产的双极型P-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它采用先进的Trench FET技术，特别适用于对低电压、高电流和高效率有需求的应用场合。该器件具有以下主要特性： 1. **环保设计**：这款MOSFET采用了无卤化物材料，符合环保标准。 2. **高性能**：它在-30V的Drain-Source (DS) 电压下工作，具有高达-7.3A的持续导通电流（ID）在VGS = 10V时，以及-6.3A在VGS = -4.5V时。其开启电压（Vth）相对较低，仅为-1.5V。 3. **封装形式**：SOP8封装，适合表面安装，适用于1"x1" FR4板，方便集成到电路板上。 4. **温度管理**：该MOSFET在连续工作状态下，当环境温度为25°C时，最大功耗为5.0W。随着温度升高，如70°C时，最大功率下降，确保了散热性能。 5. **脉冲电流处理**：单脉冲下的最大Avalanche电流（IAavalanche）为-20A，单脉冲Avalanche能量为20mJ，这表明它能在短时间脉冲操作中承受一定的过载。 6. **热性能**：Tj（最大结温）范围从-55°C至150°C，同时提供不同温度下的热阻Ma值，例如在25°C和70°C时，热阻分别为典型的xim值。 7. **应用领域**：CEM4955H-VB适合于负载开关等需要高效能和小型化的电路设计，尤其适合在电源管理、电机控制或功率转换等应用中。 CEM4953H-VB是一款高效率、低导通电阻和宽工作温度范围的P-Channel MOSFET，对于那些寻求可靠、节能和小型化的电子系统设计者来说，是一款理想的组件选择。在实际应用中，设计者需要注意其额定参数限制，尤其是在高温或脉冲操作条件下的工作特性，并确保合适的散热措施来保证其长期稳定运行。