IRFR3911TRPBF-VB: 100V N沟道TO252封装高功率MOSFET

IRFR3911TRPBF-VB是一款由IR公司生产的N沟道TO252封装的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件属于TrenchFET系列，专为功率应用设计，特别优化了开关性能。其特点包括： 1. **高耐压**：该MOSFET的源极-漏极电压（VDS）可达100V，确保在高压环境下稳定工作。 2. **高温性能**：能承受高达175°C的结温（Junction Temperature），适用于高温应用场景。 3. **测试可靠性**：产品经过100% Rg测试，确保了出色的可靠性和一致性。 4. **环保合规**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC，符合严格的环保标准。 5. **应用范围广泛**：IRFR3911TRPBF-VB适用于初级侧开关等需要高效、小型化解决方案的电路中。 6. **产品规格**：在VGS=10V时，最大连续导通电流（ID）为100A；单脉冲雪崩能量处理能力EAS为18mJ，适合于电源管理和其他高电流应用。 7. **散热性能**：提供良好的热阻，如junction-to-ambient热阻典型值为15°C/W，junction-to-case热阻为0.85°C/W，有助于散热管理。 8. **温度范围**：操作和存储温度范围宽广，从-55°C到175°C，适应不同的环境条件。 9. **封装形式**：采用TO252封装，适合于表面安装，便于集成在小型电路板上。 10. **注意事项**：该MOSFET需在1"x1"FR4板上表面安装，并且用户应参考安全工作区（SOA）曲线以了解电压降的影响。 IRFR3911TRPBF-VB是一款高性能、高可靠性和高耐温的N沟道MOSFET，是工程师在设计需要高效率、低损耗开关电路时的理想选择。它的特性使其在各种工业级和消费级电子产品中都能找到应用，特别是在那些对元器件尺寸、功耗和热管理有严格要求的系统中。