IRFR3911TRPBF-VB: 100V N沟道TO252封装高功率MOSFET
IRFR3911TRPBF-VB是一款由IR公司生产的N沟道TO252封装的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件属于TrenchFET系列,专为功率应用设计,特别优化了开关性能。其特点包括: 1. **高耐压**:该MOSFET的源极-漏极电压(VDS)可达100V,确保在高压环境下稳定工作。 2. **高温性能**:能承受高达175°C的结温(Junction Temperature),适用于高温应用场景。 3. **测试可靠性**:产品经过100% Rg测试,确保了出色的可靠性和一致性。 4. **环保合规**:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,符合严格的环保标准。 5. **应用范围广泛**:IRFR3911TRPBF-VB适用于初级侧开关等需要高效、小型化解决方案的电路中。 6. **产品规格**:在VGS=10V时,最大连续导通电流(ID)为100A;单脉冲雪崩能量处理能力EAS为18mJ,适合于电源管理和其他高电流应用。 7. **散热性能**:提供良好的热阻,如junction-to-ambient热阻典型值为15°C/W,junction-to-case热阻为0.85°C/W,有助于散热管理。 8. **温度范围**:操作和存储温度范围宽广,从-55°C到175°C,适应不同的环境条件。 9. **封装形式**:采用TO252封装,适合于表面安装,便于集成在小型电路板上。 10. **注意事项**:该MOSFET需在1"x1"FR4板上表面安装,并且用户应参考安全工作区(SOA)曲线以了解电压降的影响。 IRFR3911TRPBF-VB是一款高性能、高可靠性和高耐温的N沟道MOSFET,是工程师在设计需要高效率、低损耗开关电路时的理想选择。它的特性使其在各种工业级和消费级电子产品中都能找到应用,特别是在那些对元器件尺寸、功耗和热管理有严格要求的系统中。
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