英飞凌AUIRL7732S2TR DirectFET汽车级电源MOSFET技术规格

"AUIRL7732S2TR是一款由INFINEON英飞凌公司制造的汽车级电子元器件芯片，属于DirectFET Small Can封装类型，适合在汽车动力系统中应用。该芯片具备低栅极电荷和极低的导通电阻，其性能参数包括最大40V的击穿电压（V(BR)DSS），典型导通电阻RDS(on)为5.0mΩ，最大硅限制电流ID为58A，典型总栅极电荷Qg为22nC。此外，它采用了先进的DirectFET®技术，使得封装尺寸比SO-8小38%，厚度仅为0.7mm，且兼容现有的PCB布局和组装设备。" AUIRL7732S2TR是INFINEON英飞凌的高性能汽车级Power MOSFET，它结合了最新的汽车级HEXFET®硅片技术和DirectFET®封装技术。这种封装设计旨在实现低门极电荷和非常低的通态电阻，以提供高效能的电力转换和控制。其中，低门极电荷有助于降低开关损耗，而低导通电阻则减少了器件在导通状态下的功率损耗，这对于高效率电源应用至关重要。 这款芯片的额定击穿电压为40V，这意味着它能够在不损坏的情况下承受的最大电压为40V。其典型导通电阻RDS(on)为5.0mΩ，这意味着当MOSFET完全导通时，每单位电流通过时产生的电压降较小，这有助于减少功率损失并提高系统效率。此外，芯片的最大硅限制电流ID为58A，表明它可以处理高达58A的连续电流，适合于大电流驱动的应用场景。 总栅极电荷Qg是衡量MOSFET开关速度的一个重要参数，AUIRL7732S2TR的典型Qg为22nC，这意味着开关操作所需的能量较少，有助于提高开关频率和整体系统的响应速度。 封装方面，AUIRL7732S2TR采用的是DirectFET® Small Can封装，这种封装设计不仅节省空间，而且由于其兼容现有的PCB布局几何形状，可以方便地集成到现有的电路板设计中。此外，它还支持双面冷却，以增强在汽车动力系统中的热传递能力，确保在高功率运行时的稳定性和可靠性。 AUIRL7732S2TR是一款为汽车应用设计的高效、紧凑型Power MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性的电源管理解决方案，如车载充电器、电机控制器和其他汽车电子系统。通过结合创新的半导体技术和优化的封装设计，这款器件能够提供出色的电气性能和热管理特性。