AM2336NW-T1-VB SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格

"AM2336NW-T1-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有低电阻、高效率的特点，设计采用了TrenchFET技术，并符合RoHS指令。其主要规格包括30V的漏源电压（VDS）、30mΩ（在VGS=10V）或33mΩ（在VGS=4.5V）的低导通电阻（RDS(on)）、6.5A或6.0A的连续漏极电流（ID），以及4.5nC的总栅极电荷（Qg）。" AM2336NW-T1-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET，其SOT23封装使其适合在空间有限的应用场景中使用。这款器件采用先进的TrenchFET技术，这是一种利用沟槽结构来提高开关性能和降低导通电阻的工艺。100%的Rg测试确保了器件的可靠性和一致性。 MOSFET的主要参数如下： 1. **漏源电压** (VDS)：最大30V，这是MOSFET允许的最大电压差，决定了器件的工作电压范围。 2. **导通电阻** (RDS(on))：在VGS=10V时，RDS(on)为30mΩ，VGS=4.5V时，RDS(on)为33mΩ。低的RDS(on)意味着在导通状态下器件的内阻小，从而能提供更高的效率和更低的功率损耗。 3. **连续漏极电流** (ID)：在不同的温度下，ID有不同的额定值，如在TJ=150°C时，ID为6.5A，在TJ=70°C时，ID降为6.0A。这意味着器件能在不同环境温度下保持稳定的电流传输能力。 4. **总栅极电荷** (Qg)：4.5nC，这表示开启和关闭MOSFET所需的电荷量，对开关速度有直接影响，较小的Qg意味着更快的开关速度。 此外，该器件符合RoHS指令，无卤素，满足环保要求。它适用于DC/DC转换器，这通常涉及到电源管理和电子设备中的电压转换。由于其低的RDS(on)和小巧的封装，AM2336NW-T1-VB也适合于需要高效能和节省空间的电路设计中。 绝对最大额定值和热特性也是选择MOSFET的重要考虑因素，例如： - **栅极-源极电压** (VGS)：±20V，超过这个范围可能会损坏MOSFET。 - **脉冲漏极电流** (IDM)：25A，这是短暂脉冲条件下允许的最大电流。 - **连续源漏二极管电流** (IS)：在特定条件下，MOSFET可以作为二极管使用，IS的值表明了这一点。 - **最大功耗** (PD)：随温度变化，最大值在1.7W到0.7W之间，超过这个值可能导致器件过热。 热阻抗参数则关系到器件的散热性能，例如结温到环境的热阻（θJA）和芯片到封装的热阻（θJC），这些参数影响器件在工作时的温度上升，从而影响其长期稳定性。 AM2336NW-T1-VB是一款高效、紧凑的N-Channel MOSFET，适用于需要低功耗、高效率和小体积的电子设备中，尤其在电源管理领域有着广泛的应用潜力。