AM2336NW-T1-VB SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"AM2336NW-T1-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOSFET,适用于DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有低电阻、高效率的特点,设计采用了TrenchFET技术,并符合RoHS指令。其主要规格包括30V的漏源电压(VDS)、30mΩ(在VGS=10V)或33mΩ(在VGS=4.5V)的低导通电阻(RDS(on))、6.5A或6.0A的连续漏极电流(ID),以及4.5nC的总栅极电荷(Qg)。"
AM2336NW-T1-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET,其SOT23封装使其适合在空间有限的应用场景中使用。这款器件采用先进的TrenchFET技术,这是一种利用沟槽结构来提高开关性能和降低导通电阻的工艺。100%的Rg测试确保了器件的可靠性和一致性。
MOSFET的主要参数如下:
1. **漏源电压** (VDS):最大30V,这是MOSFET允许的最大电压差,决定了器件的工作电压范围。
2. **导通电阻** (RDS(on)):在VGS=10V时,RDS(on)为30mΩ,VGS=4.5V时,RDS(on)为33mΩ。低的RDS(on)意味着在导通状态下器件的内阻小,从而能提供更高的效率和更低的功率损耗。
3. **连续漏极电流** (ID):在不同的温度下,ID有不同的额定值,如在TJ=150°C时,ID为6.5A,在TJ=70°C时,ID降为6.0A。这意味着器件能在不同环境温度下保持稳定的电流传输能力。
4. **总栅极电荷** (Qg):4.5nC,这表示开启和关闭MOSFET所需的电荷量,对开关速度有直接影响,较小的Qg意味着更快的开关速度。
此外,该器件符合RoHS指令,无卤素,满足环保要求。它适用于DC/DC转换器,这通常涉及到电源管理和电子设备中的电压转换。由于其低的RDS(on)和小巧的封装,AM2336NW-T1-VB也适合于需要高效能和节省空间的电路设计中。
绝对最大额定值和热特性也是选择MOSFET的重要考虑因素,例如:
- **栅极-源极电压** (VGS):±20V,超过这个范围可能会损坏MOSFET。
- **脉冲漏极电流** (IDM):25A,这是短暂脉冲条件下允许的最大电流。
- **连续源漏二极管电流** (IS):在特定条件下,MOSFET可以作为二极管使用,IS的值表明了这一点。
- **最大功耗** (PD):随温度变化,最大值在1.7W到0.7W之间,超过这个值可能导致器件过热。
热阻抗参数则关系到器件的散热性能,例如结温到环境的热阻(θJA)和芯片到封装的热阻(θJC),这些参数影响器件在工作时的温度上升,从而影响其长期稳定性。
AM2336NW-T1-VB是一款高效、紧凑的N-Channel MOSFET,适用于需要低功耗、高效率和小体积的电子设备中,尤其在电源管理领域有着广泛的应用潜力。
2019-07-15 上传
2015-08-06 上传
2021-05-11 上传
2021-04-30 上传
2021-03-30 上传
2021-06-15 上传
2021-05-10 上传
2019-08-28 上传
2021-05-01 上传
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