Microchip PIC18F66K80闪存编程内存详细教程

在"写闪存程序存储器 - Windows Internals Part 2 (6th) 无水印PDF"中，讨论了Microchip PIC18F46k80系列单片机中对内部闪存编程的详细过程。该章节主要关注于如何对内部程序存储单元进行有效编程，特别是在使用长写操作时的步骤和技术细节。 首先，编程的基本单位是32个字或64字节，不支持字节级别的编程。编程操作涉及使用表写指令，将待写入的数据先加载到保持寄存器中，因为表锁存器TABLAT是单字节寄存器，所以每次编程可能需要执行64次TBLWT指令。由于写操作仅涉及保持寄存器，实际操作为短写，即更新完64或128个保持寄存器后，需写入EECON1寄存器来启动长写周期。 对闪存编程的步骤包括以下关键步骤： 1. 读取64字节到RAM，并根据需要更新数据。 2. 将要擦除的地址放入表指针寄存器。 3. 执行行擦除。 4. 将第一个要写入字节的地址写入表指针寄存器。 5. 自动递增的方式将64字节写入保持寄存器。 6. 设置EECON1寄存器，如设置EEPGD为1（指向程序存储器）、清除CFGS位（访问程序存储器）、置位WREN（允许字节写入）。 7. 禁止中断。 8. 写入特定校验命令（55h到EECON2，然后0AAh）。 9. 将WR位置1，开始写周期，CPU在此期间暂停。 10. 重新允许中断。 11. 完成后，可能需要校验存储器（通过表读操作）。 值得注意的是，保持寄存器默认值为FFh，除非有明确的目的（例如将0变为1），否则无需事先填充所有寄存器。此外，写入操作前，表指针地址需确保在保持寄存器的64字节预期地址范围内。 整个过程强调了编程操作中需要注意的时机、中断管理以及潜在的性能限制，特别是与片上定时器、电荷泵和电压控制相关的方面。文档还包含了使用实例和注意事项，如版权声明，以及Microchip对于信息和产品的责任免责声明，特别指出在涉及生命维持和安全应用时的使用风险。 这篇文档深入剖析了Microchip PIC18F46k80系列单片机中闪存编程的复杂性和细节，为开发人员提供了宝贵的技术参考。