英飞凌IAUZ40N08S5N100 OptiMOS™-5功率晶体管详细规格

英飞凌 IAUZ40N08S5N100 OptiMOS™-5 Power-Transistor 是一款专为汽车应用设计的高性能N沟道增强型MOSFET。这款器件具有以下关键特性： 1. **产品类型与应用领域**： IAUZ40N08S5N100是一款优化的MOSFET，适用于对可靠性和效率有高要求的汽车电子系统，如电机控制、电源管理等。 2. **电气规格**： - **连续漏电流（ID）**：在标准条件下（Tj=25°C，VGS=10V）可达到40A，而在高温（100°C）环境下，仍能保持40A。 - **脉冲漏电流（ID,pulse）**：在25°C下，允许的峰值脉冲电流为160A，确保了短暂峰值电流需求下的性能。 - **雪崩能量（EAS）**：单次脉冲雪崩能量为75mJ，这意味着该器件能够承受一定的过电压情况。 - **雪崩电流（IAS）**：在单脉冲条件下，允许的最大雪崩电流为32A。 - **栅极源极电压（VGS）**：工作范围宽广，可承受±20V的电压波动。 3. **热性能**： - **最大功率耗散（Ptot）**：在25°C下，功率极限为68W。 - **温度范围**：工作温度可达175°C，且具有MSL1等级，最高耐受260°C的峰值再流焊温度。 - **气候类别**：符合IEC 68-1标准的DIN气候类别，适应严苛的汽车环境条件。 4. **封装与标识**： - 封装类型：采用PG-TSDSON-8封装。 - 型号标记：5N08100，以及PG-TSDSON-8包装的额外信息。 5. **质量保证**： - 英飞凌汽车级品质保证，超越AEC-Q101标准，体现了对严格汽车电子行业标准的满足。 - 强化了测试过程，包括抗层间剥离的先进粘附测试，以及针对板级可靠性进行的补充测试。 6. **基本参数**： - 驱动电压（VDS）：80V，导通时的阻抗（RDS(on））仅为10mW。 - 产品概述：该器件属于功率晶体管类型，型号为IAUZ40N08S5N100，带有Rev.1.0版本。 总结来说，英飞凌 IAUZ40N08S5N100是一款专为汽车应用设计的高效、可靠的MOSFET，它具有出色的热稳定性、高脉冲耐受能力及严格的质量控制标准，适用于需要高压和大电流处理的汽车电子系统。在选择和设计电路时，这些规格是评估其适用性和性能的关键数据。