英飞凌IPB032N10N5 MOSFET中文规格书：低阻高性能

"IPB032N10N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文将详细介绍英飞凌科技公司生产的IPB032N10N5 MOSFET芯片，这是一款适用于高频开关和同步整流的高性能功率晶体管。该芯片具有卓越的性能指标，包括极低的导通电阻（RDS(on)）、优秀的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）以及通过100%雪崩测试的可靠性。 1. 产品特性 - 高频切换：IPB032N10N5设计用于在高频率下高效工作，适合高速开关应用。 - 优异的FOM：极低的栅极电荷与RDS(on)的乘积，确保了低损耗和高效率。 - 极低的RDS(on)：最大导通电阻仅为3.2毫欧，这意味着在导通状态下，芯片的内部电阻非常小，能有效降低工作时的功率损失。 - N沟道，正常电平：适用于标准逻辑控制的电路设计。 - 100%雪崩测试：确保了芯片在过电压条件下的耐用性。 - 环保材料：采用无铅电镀，符合RoHS标准，且不含卤素，符合IEC61249-2-21的无卤素要求。 - JEDEC认证：根据J-STD20和JESD22标准进行资格认证，适用于目标应用。 2. 关键性能参数 - VDS：额定漏源电压为100V，这是芯片能够承受的最大电压差。 - RDS(on)，max：最大导通电阻为3.2毫欧。 - ID：连续漏电流达到166A，表明芯片可以处理大电流。 - Qoss：总栅极电荷为98纳库仑，影响开关速度。 - QG(0V..10V)：栅极电荷从0V到10V的变化量为76纳库仑，是衡量开关性能的重要参数。 3. 封装信息 - IPB032N10N5采用PG-TO263-7（也称为D²-PAK 7pin）封装，便于散热和安装。 - 打印标记为"032N10N5"，方便识别。 4. 规格书内容 - 描述：对芯片的基本特性和应用的概述。 - 最大额定值：列出芯片在不造成损坏的工作条件下所能承受的最大值。 - 热特性：描述芯片在不同热环境下的行为和散热能力。 - 电气特性：详细列出芯片的电压、电流、电阻等参数。 - 电气特性图表：提供直观的特性曲线图。 - 封装轮廓：展示芯片实际封装的尺寸和引脚排列。 - 版本历史：记录规格书的修订历程。 - 商标和免责声明：包含英飞凌的商标信息和使用该产品的法律声明。 5. 应用领域 - IPB032N10N5常被用于电源转换、开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、马达驱动以及其他需要高效能、高频率开关操作的场合。 IPB032N10N5是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电子系统。其出色的技术参数和环保特性使其成为许多现代电力电子应用的理想选择。