AP2338GN-VB N-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数
191 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 225KB PDF 举报
"AP2338GN-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,主要特点包括采用TrenchFET®技术,符合RoHS标准,并通过了100%Rg测试。这款MOSFET适用于DC/DC转换器等应用。其关键参数包括30V的漏源电压(VDS),在VGS=10V时的RDS(on)为30mΩ,在VGS=4.5V时的RDS(on)为33mΩ,最大连续漏极电流ID分别为6.5A(25°C)和6.0A(70°C)。此外,还提供了其他如脉冲漏极电流、源漏二极管电流、最大功率耗散等参数信息。"
AP2338GN-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET,其核心特性在于采用了TrenchFET®技术,这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构,降低了导通电阻,从而实现了更高的开关效率和更低的热损耗。TrenchFET®设计也使得器件尺寸更小,更适合于高密度、小型化的电子设备中。
该MOSFET的额定漏源电压VDS为30V,这意味着它能够在30V的电压下正常工作而不致损坏。其RDS(on)是一个衡量MOSFET导通电阻的重要指标,低的RDS(on)意味着在导通状态下流过电流时产生的压降较小,从而能有效降低功耗。AP2338GN-VB的RDS(on)在VGS=10V时仅为30mΩ,这表明它在低电压驱动下仍能保持低电阻状态,适合用于高效能电源转换系统。
此外,这款MOSFET的最大连续漏极电流ID在25°C时为6.5A,70°C时为6.0A,这表明其在不同温度条件下具有良好的电流承载能力。然而,需要注意的是,实际工作时必须确保不超过这些限制,以免器件过热。
MOSFET的门极-源极电压VGS也是一个关键参数,对于N-Channel MOSFET,当VGS超过阈值电压Vth(1.2~2.2V)时,MOSFET才能导通。AP2338GN-VB的阈值电压范围使得它在常见的逻辑电平下可以轻松驱动。
在安全操作方面,AP2338GN-VB满足RoHS指令,无卤素,且经过100%Rg测试,确保了器件的可靠性和环境友好性。另外,它还提供了关于脉冲漏极电流IDM、源漏二极管电流IS以及最大功率耗散PD的规格,以确保在瞬态和长期运行中的稳定性。
最后,热性能是评价MOSFET性能的重要方面,包括结温TJ、储存温度Tstg以及焊锡推荐温度等。AP2338GN-VB的最大结温范围从-55°C到150°C,保证了其在宽温范围内工作的可靠性,而焊锡推荐温度为260°C,符合一般SMT工艺的要求。
AP2338GN-VB是一款适用于DC/DC转换器及其他需要高效、低损耗开关操作的应用的优质MOSFET,其出色的电气特性和可靠性使其成为电子设计中的理想选择。
2023-11-24 上传
2023-10-09 上传
2024-04-09 上传
2024-04-09 上传
2024-03-14 上传
2024-04-09 上传
2024-04-09 上传
2024-04-09 上传
VBsemi_MOS
- 粉丝: 8031
- 资源: 2559
最新资源
- 掌握Jive for Android SDK:示例应用的使用指南
- Python中的贝叶斯建模与概率编程指南
- 自动化NBA球员统计分析与电子邮件报告工具
- 下载安卓购物经理带源代码完整项目
- 图片压缩包中的内容解密
- C++基础教程视频-数据类型与运算符详解
- 探索Java中的曼德布罗图形绘制
- VTK9.3.0 64位SDK包发布,图像处理开发利器
- 自导向运载平台的行业设计方案解读
- 自定义 Datadog 代理检查:Python 实现与应用
- 基于Python实现的商品推荐系统源码与项目说明
- PMing繁体版字体下载,设计师必备素材
- 软件工程餐厅项目存储库:Java语言实践
- 康佳LED55R6000U电视机固件升级指南
- Sublime Text状态栏插件:ShowOpenFiles功能详解
- 一站式部署thinksns社交系统,小白轻松上手