非晶态硅锗的理想结构模型：基于金刚石晶格的改造

理想的非晶态硅和锗的结构模型（1990年）是一篇发表在《北京大学学报（自然科学版）》上的论文，主要探讨了非晶态半导体结构与其晶态对应物之间的关系。作者指出，尽管非晶态结构在宏观上表现出无序性，但实际上存在着内在的规律，即短程有序性和与晶态结构的联系。他们提出的物理模型基于这一观察，试图将金刚石晶格转化为非晶态硅和锗的连续无规网格。 论文的核心内容是建立一个原子排布模型，通过计算机辅助的结构松弛处理，实现了对非晶态半导体如硅和锗的精确模拟。模型的关键参数，如密度和径向分布函数（RDF），被设计得与实验数据相吻合，这对于理解非晶态物质的微观特性至关重要。径向分布函数虽然提供了近程有序性的信息，但对于完整描述非晶态结构仍有所不足，因此结构模型在此时显得尤为有用，因为它不仅提供了一种直观的结构图像，还是进行后续理论计算，如声子谱和电子态计算的基础。 论文的作者强调，尽管早期的连续无规网格模型（如Polk的手工构建）取得了一定的成功，但由于缺乏明确的理论指导，模型的构建仍然依赖于经验和计算机技术的结合。他们的模型旨在填补这一空白，通过理论和实验的结合，为非晶态半导体结构的深入研究提供了一种更系统和精确的方法。 总结来说，这篇论文在1990年提出了一种新的非晶态半导体结构模型，它不仅解决了当时实验手段在描述非晶态结构上的局限，也为理论计算工作提供了必要的原子坐标信息，并且在一定程度上揭示了非晶态固体中原子排列的规律性。这一研究对于理解和预测非晶态半导体的性能具有重要的科学价值。