FW208-TL-E-VB：SOP8封装双N沟道60V MOSFET详细规格

"FW208-TL-E-VB是一款采用SOP8封装的双N沟道60V MOSFET，具备低电阻、高速开关特性和100%的Rg和UIS测试。" FW208-TL-E-VB是一款双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于高效能电源管理应用。该器件采用先进的TrenchFET技术，提供更小的体积和更低的导通电阻，从而在高电流切换中实现更高的效率。 规格方面，每个MOSFET通道在VGS=10V时的漏源导通电阻（RDS(on)）仅为27毫欧，而在VGS=4.5V时，其RDS(on)值也会保持在一个较低水平，这有利于减少导通损耗。此外，该器件的阈值电压（Vth）为1.5V，这意味着在较低的栅极电压下即可开启MOSFET，降低了驱动电路的复杂性。 耐压能力方面，FW208-TL-E-VB的漏源间最大电压（VDS）为60V，适合处理较高的电源电压。每个通道的最大连续漏极电流（ID）为7A，在25°C环境下，而在125°C高温下，这个值会降至4A，确保了在不同温度条件下的稳定性。同时，器件还通过了脉冲电流测试，最大脉冲漏极电流（IDM）可达28A，表明其在短时间内的峰值电流处理能力。 安全方面，FW208-TL-E-VB具有反向电流保护功能，即每个通道的连续源电流（IS）限制在3.6A，防止电流反流。单脉冲雪崩电流（IAS）和单脉冲雪崩能量（EAS）的设定也确保了在过载条件下的安全性。最大功率耗散（PD）在25°C时为4W，而在125°C时降至1.3W，这限制了芯片在工作时可能产生的热量。 热性能方面，结到环境的热阻（RthJA）为11°C/W，意味着当芯片内部产生的每瓦功率增加时，其外壳温度将升高11°C。这提醒用户在设计散热方案时需要考虑足够的散热措施，以保证器件在高温环境下稳定运行。 总体来说，FW208-TL-E-VB是一款高性能、紧凑型的双N沟道MOSFET，适用于需要高效率、低损耗和良好热管理的电源转换、电机控制、负载开关等应用。