FQU13N10-VB MOSFET：100V N沟道TO251封装功率MOS管

"FQU13N10-VB是一种N沟道的MOSFET，采用TO251封装，适用于100V的工作电压，具有175°C的结温耐受能力，100%的Rg测试验证。这款MOSFET主要应用于初级侧开关。产品特性包括其低的RDS(on)值，高连续电流能力，并通过了严格的绝对最大额定值测试，如漏源电压、栅源电压、脉冲漏电流等。此外，提供了热性能参数，如结壳热阻和结温至环境的热阻，以及最大功率耗散等。" FQU13N10-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其关键特性在于它的TO251封装，这是一种常见的表面贴装封装，适合在电路板上安装。这款MOSFET设计用于处理100V的漏源电压（VDS），并能在175°C的结温下稳定工作，这表明它具备良好的高温耐受性。100%的Rg测试确保了器件的可靠性和一致性。 在应用方面，FQU13N10-VB主要被用作初级侧开关，这意味着它可能在电源转换器或逆变器等电路中作为主开关元件使用。在这些应用中，低的导通电阻（RDS(on)）至关重要，因为它直接影响到设备的效率。根据提供的数据，RDS(on)在VGS=10V时为0.115Ω，这表明在低电压下，FQU13N10-VB能保持较低的电阻，从而在开关过程中减少能量损耗。 该器件的连续漏极电流ID在25°C和175°C环境下分别可达15A和8.7A，表明其能承受较高的电流负载。同时，脉冲漏极电流IDM高达45A，表明它也能应对短时间内的高电流峰值。另外，FQU13N10-VB的雪崩能量能力（IAR）和重复雪崩能量（EAR）表明它能承受一定的过载条件，增强了其在瞬态条件下的安全性。 热性能是衡量MOSFET能否长时间稳定工作的关键指标。FQU13N10-VB的结壳热阻（RthJC）典型值为2°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，结温将升高2°C。而结温至环境的热阻（RthJA）在10秒内典型值为16°C/W，最大值为20°C/W，这会影响器件在满负荷运行时的温度上升。 FQU13N10-VB是一款适用于高电压、大电流应用的高性能N沟道MOSFET，其出色的热管理和电流处理能力使其成为电源管理解决方案的理想选择。用户应确保在实际应用中遵守制造商给出的绝对最大额定值，以保证器件的长期稳定性和寿命。