0.35μm SiGe工艺下DVB-T双频射频调谐器设计与性能分析
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更新于2024-07-10
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本文档探讨了电视广播系统(DVB-T)射频调谐器的设计过程,针对的是数字电视广播应用中的单芯片解决方案。设计团队采用台积电0.35微米SiGe工艺,特别强调了双转换架构,即首先将信号升频到1.2 GHz的第一中间频率(IF),然后再降至36 MHz的第二中间频率(IF)。这种架构的优势在于,由于图像通道位于接收带宽之外,因此对影像拒绝能力的需求相对较低,节省了成本。
在设计过程中,研究者关注了电路的非理想效应,如平衡到单端转换器的损耗、布线电阻以及测试板上布局引起的寄生效应,这些因素导致整体调谐器电路的增益有所下降。通过模拟分析,设计团队将这些非理想因素考虑在内,并与实际测试数据进行了比较,结果显示两者结果一致。
该射频调谐器在连续波(CW)测试中的性能表现出色,具有约27 dB的增益,10 dB的噪声指数,以及9 dBm的输出三阶交越点。在QPSK调制信号测试中,其灵敏度达到-88 dBm;而在16QAM调制信号下,灵敏度提升至-72 dBm,动态范围超过80 dB,显示出优秀的射频特性。
关键词包括:数字电视广播系统、射频调谐器、双次转频架构。此设计不仅满足了DVB-T标准对信号处理的要求,还展现了良好的性能指标,对于电视广播系统的接收设备制造具有重要的参考价值。通过这篇论文,读者可以了解到射频调谐器设计中的关键技术和策略,以及如何优化性能以适应现代数字电视广播的复杂环境。
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