0.35μm SiGe工艺下DVB-T双频射频调谐器设计与性能分析

本文档探讨了电视广播系统(DVB-T)射频调谐器的设计过程，针对的是数字电视广播应用中的单芯片解决方案。设计团队采用台积电0.35微米SiGe工艺，特别强调了双转换架构，即首先将信号升频到1.2 GHz的第一中间频率(IF)，然后再降至36 MHz的第二中间频率(IF)。这种架构的优势在于，由于图像通道位于接收带宽之外，因此对影像拒绝能力的需求相对较低，节省了成本。 在设计过程中，研究者关注了电路的非理想效应，如平衡到单端转换器的损耗、布线电阻以及测试板上布局引起的寄生效应，这些因素导致整体调谐器电路的增益有所下降。通过模拟分析，设计团队将这些非理想因素考虑在内，并与实际测试数据进行了比较，结果显示两者结果一致。 该射频调谐器在连续波(CW)测试中的性能表现出色，具有约27 dB的增益，10 dB的噪声指数，以及9 dBm的输出三阶交越点。在QPSK调制信号测试中，其灵敏度达到-88 dBm；而在16QAM调制信号下，灵敏度提升至-72 dBm，动态范围超过80 dB，显示出优秀的射频特性。 关键词包括：数字电视广播系统、射频调谐器、双次转频架构。此设计不仅满足了DVB-T标准对信号处理的要求，还展现了良好的性能指标，对于电视广播系统的接收设备制造具有重要的参考价值。通过这篇论文，读者可以了解到射频调谐器设计中的关键技术和策略，以及如何优化性能以适应现代数字电视广播的复杂环境。