Hynix HY62LF16101C: 64Kx16bit 2.5V超低功耗CMOS SRAM规格说明书

"Hynix HY62LF16101C是一款由Hynix Semiconductor推出的64Kx16位超低功耗全CMOS静态RAM，具有高速度和1Mbit的存储容量，组织形式为65,536个16位字。这款芯片采用高性能全CMOS工艺技术，设计用于高速低功耗电路，特别适用于高密度低功耗系统应用。设备内置数据保留模式，即使在最低1.2V电源电压下也能保证数据的有效性。" 文档中的关键知识点包括： 1. **制造商和产品型号**：Hynix Semiconductor制造的内存芯片，产品型号为HY62LF16101C。这个系列还有其他版本，如HY62QF16101C，但后来改版为HY62LF16101C。 2. **产品特性**： - **全静态操作**：这意味着芯片无需时钟周期就能保持数据，减少了功耗。 - **高速度**：芯片设计用于高速读写操作，适合需要快速数据处理的应用场景。 - **超低功耗**：采用优化的工艺技术，减少运行时的功率消耗，适合电池供电或对能耗敏感的设备。 - **1Mbit存储容量**：总共有64K（即65,536）个16位字的存储空间，总计1Mbit（128KB）。 - **数据保留模式**：即使在低至1.2V的电源电压下，仍能保持数据的完整性，增强了系统的稳定性。 3. **技术规格**：虽然具体的技术参数没有提供，但可以推测该芯片可能包含诸如存取时间（tCLZ, tOLZ, tBLZ, tCHZ, tOHZ, tBHZ, tWHZ, tOW等）等指标，这些是衡量内存性能的重要参数。 4. **修订历史**：文档的修订记录显示了产品的发展过程，例如在2000年12月的修订中，输出负载被分成了几个因素，而在2001年6月的修订中，产品编号进行了更改，2.5V版本的Q被替换为L。 5. **责任声明**：Hynix Semiconductor声明此文档是对产品的一般描述，可能会随时变更，且不承担使用其中电路的任何责任，也没有暗示任何专利许可。 HY62LF16101C是一款专为高效率、低功耗设计的内存芯片，适用于要求快速数据交换和低功耗的系统，如移动设备、嵌入式系统和其他需要长时间运行和节能的设备。