Sb2(S1-xSex)3半导体材料在薄膜太阳能电池中的研究进展

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"Sb2(S1-xSex)3(0≤x≤1)薄膜太阳能电池的研究进展,包括Sb2Se3、Sb2Te3及Sb2(S,Se)3,作为潜在的低成本、低毒性的半导体材料,因其适宜的禁带宽度和高吸光系数,被广泛关注于薄膜太阳能电池领域。文章总结了近年来的研究进展,并对未来发展进行了展望。" Sb2(S1-xSex)3(0≤x≤1)化合物是一种重要的半导体材料,其中x代表硫(S)和硒(Se)的比例。这种化合物包括三个主要组成部分:Sb2Se3(硫化锑)、Sb2Te3(碲化锑)以及Sb2(S,Se)3(硫硒化锑)。由于这些元素在地壳中的储量丰富,对环境影响小,且成本较低,因此它们被视为太阳能电池领域极具潜力的材料。其禁带宽度在1.1到1.8电子伏特之间,这使得它们能够吸收广泛的太阳光谱,而大于105 cm-1的高吸光系数意味着它们能有效地捕捉光子,转化为电能。 薄膜太阳能电池是一种利用薄膜技术制备的太阳能电池,它们通常比传统的硅基太阳能电池更薄、更轻,且制造成本更低。Sb2(S1-xSex)3材料的薄膜形式尤其适合这一应用,因为它们可以以较低的成本大规模生产,并且由于毒性较低,符合可持续发展的要求。 近年来,科研人员已经取得了一些关于Sb2Se3、Sb2Te3和Sb2(S,Se)3薄膜太阳能电池的重要进展。他们通过各种沉积方法(如化学气相沉积、溶液法制备等)制备了高质量的薄膜,并通过优化器件结构和界面工程,提高了电池的光电转换效率。尽管目前的效率可能仍低于成熟的硅基太阳能电池,但考虑到其环保性和成本效益,Sb2(S1-xSex)3材料在未来的太阳能技术中具有广阔的应用前景。 此外,该领域的研究还涉及到对材料稳定性、长期运行性能以及大面积制备技术的研究,这些都是推动商业化进程的关键因素。未来的研究可能会集中在提高材料的热稳定性和光稳定性,降低缺陷密度,以及开发新的器件架构以进一步提升电池性能。 Sb2(S1-xSex)3(0≤x≤1)化合物及其薄膜太阳能电池技术是当前光伏研究的热点之一。随着科学技术的不断进步,这类材料有望在可再生能源领域发挥重要作用,为解决能源危机和环境保护提供解决方案。

function [sa1,sa2,sa3,sa4,sa5,sb1,sb2,sb3,sb4,sb5,sc1,sc2,sc3,sc4,sc5] =fifscmpc(ia,ib,ic,ix,iy,iz,reia,reib,reic,reix,reiy,reiz,R,L,Ts, Vdc) persistent x_old y_old z_old g_opt e_opt f_opt if isempty(x_old), x_old = 1; end if isempty(y_old), y_old = 1; end if isempty(z_old), z_old = 1; end states1 =[1 1 0 1 0;1 0 0 0 1;0 1 1 1 0;0 1 1 0 1;0 0 0 1 1]; states2 =[1 1 0 1 0;1 0 0 0 1;0 1 1 1 0;0 1 1 0 1;0 0 0 1 1]; states3 =[1 1 0 1 0;1 0 0 0 1;0 1 1 1 0;0 1 1 0 1;0 0 0 1 1]; g_opt = 1e12; ia1=ia; ix1=ix; ikrea1=reia; ikrex1=reix; for i = 1:5 v_o1 =Vdc/6*(2*(1.5*states1(i,1)+0.5*states1(i,3)-0.5*states1(i,4)-0.5*states1(i,5))); v_o2 =Vdc/6*(2*(states1(i,2)-states1(i,3)-states1(i,5))); ifup1=(1 - R*Ts/L)*ia1 + Ts/(L)*(v_o1); iflow1=(1 - R*Ts/L)*ix1 + Ts/(L)*(v_o2); g=real(ikrea1 - ifup1)^2+real(ikrex1 - iflow1)^2; if (g<g_opt) g_opt = g; x_old = i; end end e_opt = 1e12; for j = 1:5 v_o3 =Vdc/6*(2*(1.5*states2(j,1)+0.5*states2(j,3)-0.5*states2(j,4)-0.5*states2(j,5))); v_o4 =Vdc/6*(2*(states2(j,2)-states2(j,3)-states2(j,5))); ifup2=(1 - R*Ts/L)*ib + Ts/(L)*(v_o3); iflow2=(1 - R*Ts/L)*iy + Ts/(L)*(v_o4); e=abs(reib - ifup2) +abs(reiy - iflow2); if (e<e_opt) e_opt = e; y_old = j; end end f_opt = 1e12; for k = 1:5 v_o5 =Vdc/6*(2*(1.5*states3(k,1)+0.5*states3(k,3)-0.5*states3(k,4)-0.5*states3(k,5))); v_o6 =Vdc/6*(2*(states3(k,2)-states3(k,3)-states3(k,5))); ifup3=(1 - R*Ts/L)*ic + Ts/(L)*(v_o5); iflow3=(1 - R*Ts/L)*iz + Ts/(L)*(v_o6); f=abs(reic - ifup3) +abs(reiz - iflow3); if (f<f_opt) f_opt = f; z_old = k; end end

2023-06-08 上传