B3E-VB:SOT23封装P-Channel MOSFET,低RDS(on)适用于移动计算

0 下载量 140 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 265KB PDF 举报
"B3E-VB是一款由VBsemi公司生产的SOT23封装P-Channel沟道场效应MOSFET,适用于移动计算设备,如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。该器件具有TrenchFET®技术,100%栅极电阻测试,并在不同工作条件下提供了不同的电性能参数。" B3E-VB MOSFET是一款高性能的P-Channel金属氧化物半导体场效应晶体管,采用紧凑的SOT23封装,便于在各种小型化应用中使用。其关键特性包括: 1. **TrenchFET® PowerMOSFET技术**:这种技术利用沟槽结构来提高MOSFET的开关速度和效率,同时减小了芯片尺寸,降低了寄生电感,从而提高了整体电路的性能。 2. **额定电压与电流**:B3E-VB的最大漏源电压(VDS)为-30V,这意味着它可以承受最高30伏的反向电压。连续漏极电流(ID)在不同温度下有所不同,如在25°C时可达到-5.6A,而在70°C时则降低至-4.3A。 3. **低导通电阻**:在特定的栅源电压下,RDS(ON)决定了MOSFET的内阻。在VGS=-10V时,RDS(ON)典型值为47mΩ,这表示当MOSFET开启时,流过器件的电流产生的压降较低,从而提高了电源效率。 4. **栅极-源极电压(VGS)阈值**:Vth=-1V,这个阈值电压是MOSFET开始导通的电压,低于这个电压,MOSFET将处于截止状态。 5. **电荷量(Qg)**:Qg是MOSFET从关闭到完全打开所需的总电荷,对于B3E-VB,典型值为11.4nC,这影响了开关速度和开关损耗。 6. **绝对最大额定值**:包括最大漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流等,这些参数设定了器件在不损坏情况下的工作极限。 7. **热性能**:器件提供了热阻抗数据,如结壳热阻(RθJC),这决定了器件在不同环境温度下能安全处理的最大功率。 8. **应用领域**:这款MOSFET特别适合于移动计算设备中的电源管理,如用于控制负载的开关、笔记本适配器的切换以及直流-直流转换器。 B3E-VB是一款适用于高效率、小型化应用的P-Channel MOSFET,其TrenchFET技术、低导通电阻和小巧的封装使其在电源管理和控制领域具有显著优势。设计者在考虑使用这款器件时,需确保其工作条件符合产品规格,以保证器件的可靠性和系统性能。