英飞凌IPP114N12N3G：高性能N沟道功率晶体管规格手册

"IPP114N12N3 G是英飞凌（INFINEON）生产的一款OptiMOSTM3功率晶体管。这款芯片的主要特点是N沟道、正常阈值类型，具有出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM），极低的导通电阻RDS(on)，能在175°C的高温环境下工作，采用无铅镀层，符合RoHS标准且不含卤素，根据JEDEC标准进行资格认证，适用于高频开关和同步整流应用。该芯片的最大额定值在Tj=25°C时，VDS为120V，RDS(on)最大为11.4mΩ，ID连续漏电流为75A。封装形式为PG-TO220-3，标记代码为114N12N。" IPP114N12N3G是一款高性能的N沟道MOSFET，其主要特点包括： 1. **N沟道，正常阈值**：这意味着它在栅极电压低于特定阈值时会导通，适合用于高效率电源管理。 2. **优秀的FOM**：栅极电荷与RDS(on)乘积非常低，这表示在开关操作时，它能提供快速切换速度且导通电阻极小，从而降低了功耗。 3. **非常低的RDS(on)**：导通电阻仅为11.4mΩ，这在大电流应用中可以显著降低导通损耗，提高效率。 4. **175°C的工作温度**：芯片能在高温环境下稳定工作，扩大了其在高温应用中的适用范围。 5. **无铅和环保**：符合RoHS标准，不含卤素，有利于环保并满足现代电子产品的制造要求。 6. **JEDEC资格认证**：表明该产品已通过行业标准测试，可靠性得到保证。 7. **PG-TO220-3封装**：这种封装形式提供了良好的散热性能，适合大功率应用。 在技术参数方面，IPP114N12N3G在Tj=25°C时，最大连续漏电流ID为75A，在Tj=100°C时，ID降至53A。脉冲漏电流ID,pulse在Tj=25°C时可达到300A，单脉冲雪崩能量EAS在ID=75A，RGS=25Ω时为120mJ。最大栅源电压VGS为±20V，总功率损耗Ptot在Tj=25°C时为136W。操作和存储温度范围是-55°C至175°C，符合IEC55/175/56气候类别。 此外，对于瞬态过载，如脉冲漏电流和雪崩能量，用户需要参考图3中的具体曲线。在Vgs低于-5V且占空比D=0.01的情况下，最大结温Tjmax为150°C。 总体而言，IPP114N12N3G是适用于高频开关电源和同步整流器的理想选择，它的高性能特性和环境友好性使其成为现代电力电子设计中的理想组件。在实际应用中，必须确保正确理解和遵循其规格书中的各项参数，以确保器件的可靠性和系统性能。