Microchip PIC18F66K80系列：闪存编程内存写操作详解

在"写闪存程序存储器-点云预处理"这篇文章中，主要讲解了针对Microchip PIC18F45K系列，特别是采用nanoWatt XLP技术且带有ECAN的28/40/44/64引脚的增强型闪存单片机的编程细节。编程块大小被设定为32个字或64字节，不支持字或字节级别的编程，而是采用内部的表写指令进行操作，这种操作使用64个保持寄存器进行。 编程过程中，首先需要将待写入的数据从RAM加载到保持寄存器中，然后更新RAM中的数据，如果有必要的话。接下来，擦除操作是关键步骤，先将要擦除的地址放入表指针寄存器，执行行擦除，再将第一个要写入的字节地址放入表指针寄存器。随后，通过自动递增的方式将64字节写入保持寄存器，并设置EECON1寄存器以执行写操作，包括设置EEPGD、CFGS和WREN位。 写操作期间，需要禁用中断，进行两次写命令（55h和0AAh）的发送，以及WR位置1以启动写周期，CPU在此期间停止工作。写操作完成后，系统会检查存储器（表读），确保数据正确。值得注意的是，保持寄存器的默认值为FFh，写入FFh不会改变其内容，因此可以只写入有改动的部分，不必一次性填充所有寄存器。 表写操作中，表指针地址需确保在64字节的预期范围内。在执行写操作前，需要特别注意这些细节以避免错误。此外，文章还提醒读者，尽管提供了中文版本，但英文部分仍包含重要信息，应参照原文。Microchip Technology Inc.对于翻译可能存在的误差不承担责任，并强调了在使用其产品时需要自行确保技术规范的符合性，同时声明不对产品的适用性和质量等做出任何形式的担保。 该章节详细介绍了在Microchip的特定系列单片机上进行闪存程序存储器编程的完整流程，包括操作步骤、注意事项和可能遇到的问题，这对于开发人员理解和实施此类操作至关重要。