英飞凌INFINEON IRLML0100TRPBF-1芯片中文规格书

"IRLML0100TRPBF-1 INFINEON 英飞凌芯片是一款基于Micro3TM封装技术的功率MOSFET，适用于SOT-23封装标准，具备低电阻、小体积和高效率等特点。这款芯片的中文规格书提供了详细的技术参数和性能指标。" IRLML0100TRPBF-1是英飞凌公司生产的HEXFET PowerMOSFET，设计用于微型应用，如SOT-23封装的Micro3TM系列。该芯片的主要特点在于其小巧的尺寸和出色的电气性能，这使得它在需要高效能和空间节省的应用中具有广泛的应用前景。 规格书中列出了该芯片的关键电气特性，例如： 1. **绝对最大额定值**：VDS（漏源电压）的最大值为100V，连续工作时ID（漏极电流）在25°C时最大为1.6A，在70°C时为1.3A，脉冲漏极电流IDM可达7.0A。此外，最大功率耗散在25°C和70°C时分别为100W和70W，线性热阻系数为100 W/°C至99 W/°C。 2. **栅极源电压VGS**：其门极源电压的最大值未在摘要中给出，但通常MOSFET的VGS应在指定的阈值内，以保证良好的开关性能和低RDS(on)。 3. **热特性**：结到环境的热阻RθJA在长时间工作时为100°C/W，对于短时间（t<10s）操作为99°C/W，这表明芯片在高温环境下能有效散热。 4. **主要性能特点**：芯片的RDS(on)在10V栅极电压下典型值为220mΩ，表明其在低电阻状态下的高效率；栅极电荷Qg典型值为2.5nC，这意味着快速的开关速度；在25°C环境温度下，芯片可以提供1.6A的持续漏极电流。 5. **封装与数量**：IRLML0100TRPBF-1采用3引脚的Micro3TM（SOT-23）封装，以3000片/卷的Tape and Reel形式供货，便于自动化贴装生产。 该芯片符合RoHS标准，不含卤素，满足环保要求，并具有MSL1的工业级资格，确保了其在不同环境条件下的可靠性。这些特性使得IRLML0100TRPBF-1成为电子设计工程师在需要小型化、高性能电源管理解决方案时的理想选择。