NTD4860NT4G-VB：30V N沟道TrenchFET MOSFET应用于OR-ing和服务器

"NTD4860NT4G-VB是一种N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用TO252封装，适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等领域。该器件通过100%的Rg和UIS测试，符合RoHS 2011/65/EU指令。其主要特性包括低阻抗、高效率和良好的热性能。" NTD4860NT4G-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术，旨在提供高效能和低损耗解决方案。TrenchFET技术利用沟槽结构，使得器件在同等尺寸下具有更低的导通电阻(RDS(on))，从而在高电流应用中降低功率损失。 此款MOSFET的关键参数如下： - 额定电压（VDS）：30V，意味着源极到漏极的最大安全电压为30V。 - 导通电阻（RDS(on)）：在VGS = 10V时，典型值为0.005Ω，这表示当栅极电压达到10V时，源极到漏极的电阻非常小，从而在导通状态下提供了低阻抗路径。 - 输入电荷（Qg）：典型值为1nC，这是从关断状态到完全导通状态所需的栅极电荷量，直接影响开关速度。 - 连续漏极电流（ID）：在不同温度下有不同的额定值，如在25°C时为25.8A，在70°C时为22A。 此外，NTD4860NT4G-VB还具有以下绝对最大额定值： - 栅极-源极电压（VGS）：±20V，超过这个范围可能会损坏MOSFET。 - 连续漏极电流（ID）在高温环境下受限，例如在175°C时不能超过60A。 - 脉冲漏极电流（IDM）：250A，这是短时间内允许的最大脉冲电流。 - 峰值雪崩电流（IAS）：39A，表明了器件在雪崩条件下可承受的最大电流。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：94.8mJ，表示单次雪崩事件中MOSFET能承受的最大能量。 - 持续源-漏极二极管电流（IS）：在不同温度下也有不同的值，如在25°C时为90A。 - 最大功率耗散（PD）：在25°C时为205W，在70°C时为135W。 NTD4860NT4G-VB还考虑了热性能，如其在不同温度下的连续源漏极电流和最大功率耗散，以及其热阻，这些参数确保了器件在高功率应用中的稳定性和可靠性。其热阻数据指示了器件在不同条件下的散热能力，对于散热设计非常重要。 NTD4860NT4G-VB是一款适用于高功率、高速切换的应用，如电源管理、服务器电源或DC/DC转换器的MOSFET，它的低RDS(on)和出色的热管理性能使其成为这些领域的理想选择。在设计电路时，应充分考虑这些参数以确保系统的安全运行和优化性能。