MGSF1N03LT1G-VB: N沟道30V SOT23封装场效应管特性与应用

0 下载量 23 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 359KB PDF 举报
MGSF1N03LT1G-VB是一款N沟道SOT23封装的高性能场效应晶体管,它采用先进的Trench FET® Power MOSFET技术。这款器件具有以下主要特性: 1. **环保合规**:根据IEC 61249-2-21标准,MGSF1N03LT1G-VB是无卤素的,符合RoHS指令2002/95/EC,对环境友好。 2. **结构与测试**:它是通过100% Rg测试的,确保了器件的高质量和可靠性。Trench FET设计提供了低栅极电阻(Rg)和优秀的开关性能。 3. **电参数**: - **漏源电压(VDS)**:最大值为30V,适合在高电压应用中使用。 - **栅源电压(VGS)**:工作范围为±20V,允许宽广的控制电压调节。 - **持续导通电流(ID)**:在室温和150°C下分别可达6.5A和6.0A。 - **脉冲电流(IDM)**:最大值为25A,适用于短时间大电流操作。 - **源极-漏极二极管电流(IS)**:在25°C时典型值为1.4A或0.9A,取决于温度。 4. **功率处理能力**: - **最大功率损耗(PD)**:室温下为1.7W,而在70°C时为1.1W,表明良好的散热性能。 - **热阻抗**:建议的焊接峰值温度为260°C,有助于在制造过程中有效散热。 5. **温度范围**:MOSFET的工作和存储温度范围为-55°C至150°C,确保了器件在各种环境条件下的稳定运行。 6. **封装类型与尺寸**:采用紧凑的SOT-23封装,占用空间小,适合于小型化电路设计。 7. **应用领域**:这款场效应管适用于DC/DC转换器等需要高效率、小型化和低功耗的电子设备中。 8. **注意事项**: - 包装限制可能导致部分参数受限。 - 表面安装时需在1"x1" FR4板上操作。 - 建议在5秒(t=5s)内达到稳定状态,且最大稳态热耗散功率为130°C/W。 MGSF1N03LT1G-VB是一款性能优越的N沟道MOSFET,适用于对电流密度、功率处理能力和小型化有高要求的应用,同时注重环保和可靠性。在选择和使用该器件时,应考虑其电气规格、温度限制以及推荐的焊接温度。