微控制器闪存程序存储器擦除操作详解
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更新于2024-08-09
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"擦除闪存程序存储器-computational ocean acoustics"
本文档主要讨论的是微控制器(如PIC18F25K22、PIC18F45K22、PIC18LF25K22、PIC18LF45K22)中的闪存程序存储器的擦除操作。闪存存储器是微控制器中用于存储程序代码的重要部分,具有可多次编程和擦除的特点。在微控制器中,闪存的擦除单位通常是以块为基本单位,而不是单个字。
6.5章节详细介绍了擦除闪存程序存储器的步骤和机制。擦除最小单元是32个字或64字节,而且不支持字级别的擦除,只能通过外部编程器或者ICSP(In-Circuit Serial Programming)接口进行大块擦除。当微控制器自行启动擦除序列时,它会擦除64字节的块。高16位的TBLPTR寄存器用于指定要擦除的块地址,而低6位则被忽略。
擦除操作是由EECON1寄存器控制的。为了指向闪存程序存储器,需要设置EECON1的EEPGD位为1,并且WREN位设为1以启用写操作。FREE位设为1则选择擦除操作。为了防止意外的写入,EECON2寄存器需要经过一个特定的写操作启动序列,包括连续写入特定的值55h和0AAh,最后设置WR位开始擦除过程。
在擦除过程中,微控制器的指令执行会被暂停,直到内部编程定时器结束这个大约2毫秒的长写周期。在擦除期间,中断应该被禁止,以避免中断擦除操作。擦除完成后,中断可以再次被允许。
示例6-2展示了如何通过汇编语言代码擦除闪存程序存储器块。首先,通过MOVLW和MOVWF指令加载表指针寄存器(TBLPTR)以设定要擦除的块地址,然后设置EECON1寄存器,接着禁用中断,写入EECON2的特定序列,最后启动擦除并重新启用中断。
请注意,这个过程对于正确地更新微控制器的固件至关重要,因为错误的擦除或编程可能会导致设备无法正常运行。此外,由于涉及到知识产权和安全问题,Microchip Technology Inc.强调用户应对使用其器件及其信息产生的后果负责,同时提醒用户不要在生命维持和/或生命安全应用中单独依赖其器件,而应遵循所有相关的技术规范和标准。
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