英飞凌IRF7469芯片中文规格书：超低门极电抗与极低导通电阻

"IRF7469 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" IRF7469是英飞凌科技公司生产的一款高性能MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），具体类型为 HEXFET PowerMOSFET。这款芯片的主要特点是其超低的门极电荷和非常低的导通电阻，适用于高频率的开关电源应用，如隔离型直流-直流转换器、同步整流、计算机处理器电源的降压转换器等。 规格书中包含了该器件的关键参数和特性，如下： 1. **热阻抗**： - RθJL（结到漏极引脚热阻抗）：20°C/W - RθJA（结到环境热阻抗）：50°C/W 这些参数反映了芯片在不同条件下的散热性能，决定了芯片在工作时的最大功率耗散。 2. **绝对最大额定值**： - VDS（漏源电压）：40V - VGS（栅源电压）：±20V - ID@TA=25°C（25°C时的连续漏电流，VGS@10V）：9.0A - ID@TA=70°C（70°C时的连续漏电流，VGS@10V）：7.3A - IDM（脉冲漏电流）：73A - PD@TA=25°C（25°C时的最大功率耗散）：2.5W - PD@TA=70°C（70°C时的最大功率耗散）：1.6W 这些参数定义了芯片在不造成永久性损坏的情况下可承受的最大电气和热负荷。 3. **温度范围**： - TJ,TSTG（结温和存储温度范围）：-55 to +150°C 芯片可以在此范围内安全工作和储存。 4. **封装形式**： - SO-8 该芯片采用8引脚的小外形封装，便于集成到各种电路设计中。 5. **主要优势**： - 超低门极电荷，意味着快速开关和低功耗。 - 非常低的RDS(on)，在VGS=10V时的典型值为17毫欧，确保在导通状态下的低损耗。 - 完全表征的雪崩电压和电流，保证了芯片在过载情况下的稳定性。 - 适用于高频隔离型DC-DC转换器和同步整流，适合电信和工业应用。 - 适用于高性能计算机处理器电源的高频降压转换器。 - 符合无铅（Lead-Free）标准，符合环保要求。 6. **应用举例**： - 高频隔离型DC-DC转换器的同步整流 - 计算机处理器电源的高频率降压转换器 - 工业和电信领域的高效电源系统 总体来说，IRF7469是一款针对高效率、高性能开关电源应用设计的MOSFET，其卓越的电气特性和紧凑的封装使得它成为许多电源转换方案的理想选择。设计者应根据具体的应用需求和工作条件，参考这些规格书中的数据来正确地使用和评估该器件。