基础元件介绍基础元件介绍——晶体三极管晶体三极管
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的元件。三极管是在一块半导体基片
上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电
区,排列方式有PNP和NPN两种。从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,
集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,基区要制造得很薄,厚度约在几个微米至几十个微米。如图1从三个区引
出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间
的PN结叫集电结。PNP型三极管发射区“发射”的是空穴,移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;N
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个
相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和
NPN两种。从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积
大,基区要制造得很薄,厚度约在几个微米至几十个微米。如图1从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极
c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。PNP型三极管发射区“发射”的是空穴,移动方
向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区“发射”的是自由电子,移动方向与电流方向相反,故发射极箭头
向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管均有PNP型和NPN型两种类型(图
2)。
初的三极管是由锗(半导体)做成的。但是,锗具有在80℃左右时发生损坏的缺点,因此现在的三极管几乎都使用硅,
硅可以耐受180℃左右的高温。
图1 NPN型晶体三极管结构示意图
图2 晶体三极管有PNP型和NPN型两种类型
三极管产品类别 三极管产品类别
晶体管的分类方法有多种。按形状划分,功率及安装形态决定了晶体管的外形大小和形状,可分为引脚型和表面安装型;
按功率分类,主要以额定值的集电极功率Pc进行区分,分为小信号晶体管和功率晶体管,一般功率晶体管的功率超过1W;根
据工作原理不同晶体管又分为双极晶体管和单极晶体管(如图3)。双极晶体管的“双”是指Bi(2个)、“极”是指Polar(极