365nm紫外LED均匀辐照光源设计与光刻应用

"均匀辐照365 nm LED光源设计及其在光刻中的应用" 这篇科研文章探讨了365纳米紫外LED（紫外线发光二极管）光源的设计优化及其在光刻技术中的应用。作者们通过精心设计365nm紫外LED点光源阵列和聚焦透镜组的排列方式，成功地构建了一个高强度且均匀分布的LED面光源。这种光源的创新在于其能够提供一致的光强度分布，这对于光刻过程至关重要，因为均匀的光照能确保光刻图形的精确复制。 光刻是半导体制造中的关键步骤，它涉及到将掩模上的微小图形转移到光敏材料上。在本文的实验部分，研究者使用优化后的365nm LED面光源进行了接触式曝光光刻实验。接触式曝光是一种直接将光源与光敏材料接触的曝光方式，通过这种技术，他们成功地在光敏材料上复制出了与掩模板相同的图形，验证了该光源设计的有效性。 采用365nm紫外LED阵列作为光刻光源的优势在于其结构简单，相较于传统的光源系统，减少了复杂性和成本。此外，LED光源还具有节能和环保的特点，因为它能有效利用能源并减少废物排放。这些优点使得这种基于365nm紫外LED的光刻方法成为未来光刻技术的一个有吸引力的选择，特别是在微电子和纳米技术领域，对高精度、低能耗和环境友好的制程需求日益增长。 该研究在365nm紫外LED光源设计方面取得了突破，为光刻工艺提供了新的解决方案，这将有助于推动光学制造领域的进步，尤其是在微纳米尺度的精密加工中。未来的研究可能进一步探索如何优化这种光源，以适应更复杂的光刻技术，如投影光刻和深紫外光刻，以实现更小的特征尺寸和更高的分辨率。