Freescale Semiconductor AFT20S015N：1.5瓦RF功率LDMOS晶体管

“AFT20S015N是一款由Freescale Semiconductor（现属于NXP半导体）生产的N沟道增强型横向功率MOSFET，适用于1805至2690MHz频率范围内的蜂窝基站应用。这款1.5瓦特的射频功率LDMOS晶体管在特定条件下表现出优秀的性能。” AFT20S015N是专为移动通信基础设施设计的功率器件，尤其是在W-CDMA（宽频码分多址）网络中。它采用N-通道增强模式横向MOSFET技术，能够处理在不同频率下的射频功率，确保了基站的稳定运行。 在1.5瓦平均输出功率下，该器件在2110MHz、2140MHz和2170MHz等频点上表现出良好的线性特性。例如，在2110MHz时，其增益（Gps）为17.5dB，效率（D）约为22%，输出功率附加效率（Output PAR）为8.9dB，相位非线性（ACPR）为-43.0dBc，输入回波损耗（IRL）为-11dB。随着频率的上升，这些参数略有变化，如2140MHz时，输出PAR变为9.0dB，ACPR下降到-44.0dBc，而IRL减小到-12dB。 在1800MHz频段，AFT20S015N同样展现出强大的性能。例如，在1805MHz、1840MHz和1880MHz，增益保持在18.0dB左右，效率约21%-22%，输出PAR在9.2dB附近，ACPR在-42.0dBc到-45.0dBc之间，IRL保持在-10到-11dB。 此外，该器件在2600MHz频点上，当平均输出功率提升至2.1瓦时，仍能维持高效率。在相同的输入信号PAR和概率条件下，AFT20S015N能够提供稳定的性能指标，满足基站对高功率传输和低干扰的要求。 AFT20S015N是一种高性能的射频功率LDMOS晶体管，适用于广泛的移动通信频段，尤其在W-CDMA网络中。它的出色线性度、效率和低相位非线性确保了在高功率操作下的信号质量和网络兼容性，是基站设备设计的理想选择。