DBR结构对红绿AlGaInP LED发光强度的对比研究

本文研究了DBR（分布式布拉格反射镜）结构对不同波长的AlGaInP发光二极管（LED）芯片发光强度的影响。作者采用MOCVD（金属有机物化学气相沉积）技术，在GaAs衬底上生长了具有不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片，并通过芯片制作流程制成了相应的LED芯片。研究过程中，使用了HRXRD（X-射线衍射仪）来分析外延片的晶体质量和均匀性，PL（光致发光仪）来测量发光特性，以及光电测试仪来评估芯片的性能。 实验结果显示，红光AlGaInP LED芯片的发光强度明显高于黄绿光LED。其主要原因在于黄绿光LED有源区的内量子效率较低，这限制了其光辐射效率。此外，黄绿光DBR的反射率相对较小，这意味着更多的光能量被吸收或散失，而非有效地转化为光输出。这些发现对于理解不同颜色LED的性能差异及其优化设计具有重要意义。 DBR结构在LED中的应用，通过精确控制反射层周期和折射率，能够有效地增强光的反射，提高外部量子效率，从而提升LED的亮度。这对于LED全结构的设计和优化至关重要，因为高效的外部量子效率是实现高亮度LED的关键因素之一。 本研究的结果不仅有助于改进现有的AlGaInP LED芯片性能，也为未来开发出更高亮度、更高效能的LED产品提供了理论支持和实践经验。它强调了在LED设计中考虑材料特性、光学结构和内部量子效率优化的重要性，为LED行业的发展奠定了坚实的基础。