RS7N65F高压MOS管:LED驱动电源解决方案
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更新于2024-08-11
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"RS7N65F是一款高压N沟道MOSFET,适用于LED驱动、适配器和充电器、开关电源以及工业控制等应用领域。这款MOSFET具有低导通电阻、低栅极电荷的特性,且符合RoHS标准。其封装形式为TO-220F,额定漏源电压(VDSS)为650V,连续漏源电流(ID)为7A。此外,产品还提供了峰值电流与脉冲宽度曲线,以确保在不同工作条件下的稳定性。"
RS7N65F是一款高压 MOSFET,即金属氧化物半导体场效应晶体管,其N沟道设计意味着在栅极与源极之间施加正电压时,可以打开通道,允许电流从漏极流向源极。这款器件的最大特点是它的高压耐受能力和低阻特性,这使得它在需要处理高电压和保持低损耗的应用中非常有用。
其主要规格包括:
1. 漏源电压(VDSS)为650V,这意味着它可以承受高达650V的电压差,适合在高压电源系统中使用。
2. 连续漏源电流(ID)为7A,表示在正常工作条件下,MOSFET可以连续通过的最大电流为7安培。
3. 低导通电阻(RDS(ON))仅为1.1欧姆,这降低了导通状态下的功率损耗,提高了效率。
4. 低栅极电荷(Gate Charge)特性意味着快速的开关速度,对于需要频繁开关的电源转换应用尤其有利。
RS7N65F的封装为TO-220F,这是一种常见的功率半导体器件封装,具有良好的散热性能。此外,由于该器件符合RoHS标准,因此不含铅,符合环保要求。
安全和操作注意事项包括:
1. 需要注意绝对最大额定值,如超过这些参数可能会导致设备永久损坏。
2. 温度管理是关键,器件的热特性如结到环境的热阻(Junction-to-Ambient Thermal Resistance)需考虑,以确保在高功率运行时不会过热。
RS7N65F是一款高效能的高压MOSFET,适用于各种电源管理应用,特别是那些需要处理高电压和需要高效开关性能的场合,例如LED驱动电源、小家电电源、开关电源以及工业控制系统。
2021-03-08 上传
2021-05-25 上传
2024-07-22 上传
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