基于太赫兹时域光谱的SBN:Ce陶瓷介电调制特性的研究

"基于太赫兹时域光谱的SBN:Ce陶瓷介电的光调制特性" 本研究论文主要探讨了基于太赫兹时域频谱（THz-TDS）技术研究SBN:Ce陶瓷在532 nm连续激光激发下的介电响应。在外加光场的作用下，该陶瓷的介电常数表现出良好的调制特性，介电改变量达到8.5%；同时，介电损耗增加了15%。实验结果表明，该材料折射率的变化|Δn|与外加光场强度呈现线性关系。 首先，太赫兹时域频谱（THz-TDS）技术是一种非侵入式、非破坏性测量技术，可以实时测量材料的电介质性质。在本研究中，使用THz-TDS技术研究了SBN:Ce陶瓷在532 nm连续激光激发下的介电响应。实验结果表明，在外加光场的作用下，该陶瓷的介电常数表现出良好的调制特性，介电改变量达到8.5%；同时，介电损耗增加了15%。 其次，太赫兹波段的光-铁电机理对SBN:Ce陶瓷的介电响应产生了重要影响。通过建立模型，分析了SBN:Ce陶瓷的光-铁电机理，这些实验结果可以被归结为，激发的自由载流子在样品内部形成的内建电场导致的介电常数改变。 此外，实验结果还表明，该材料折射率的变化|Δn|与外加光场强度呈现线性关系。这进一步证实了太赫兹波段的光-铁电机理对SBN:Ce陶瓷的介电响应的影响。 本研究论文展示了基于太赫兹时域频谱技术研究SBN:Ce陶瓷介电的光调制特性，结果表明该陶瓷在外加光场的作用下具有良好的调制特性，介电改变量达到8.5%，同时介电损耗增加了15%。这些结果对太赫兹波调制器件的研究具有指导意义。 在实际应用中，太赫兹波段的光-铁电机理对SBN:Ce陶瓷的介电响应具有重要影响。通过对SBN:Ce陶瓷的光调制特性的研究，可以为太赫兹波调制器件的设计和制造提供有价值的参考。 此外，本研究还展示了THz-TDS技术在研究材料电介质性质方面的应用前景。THz-TDS技术可以实时测量材料的电介质性质，为材料科学和器件设计提供了重要的研究工具。 本研究论文展示了基于太赫兹时域频谱技术研究SBN:Ce陶瓷介电的光调制特性，结果表明该陶瓷在外加光场的作用下具有良好的调制特性，介电改变量达到8.5%，同时介电损耗增加了15%。这些结果对太赫兹波调制器件的研究具有指导意义。